V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrera Schottky Rectificador
Number modelo:V20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I
Cantidad de orden mínima:1 pedazo
Condiciones de pago:T/T
Plazo de expedición:2~8 días laborables
Marca:General semiconductor de Vishay
Certificado:/
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Miembro activo
Guangzhou Guangdong China
Dirección:
Room 2201-03, Room 2206, Changfeng International 1, No. 96, Lixin No. 12 Road, Zengcheng District, Guangzhou City, Guangdong province
Proveedor Último login veces:
Dentro de 47 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Descripción de producto
Foso MOS Barrier Schottk del semiconductor TMBS de V20PWM45 Vishay
Productos de semiconductor discretos de gran intensidad de MOS Barrier Schottky Rectifier DPAK del foso de la densidad TMBS del semiconductor de V20PWM45 V20PWM45C-My Rectifier3/I Vishay
V20PWM45: Rectificador de gran intensidad del Superficie-soporte TMBS® (foso
MOS Barrier Schottky) de la densidad ultrabajo VF = 0,35 V en SI =
5 A
Rectificador de gran intensidad del Superficie-soporte TMBS® (foso
MOS Barrier Schottky) de la densidad de V20PWM45C ultrabajo VF = 0,39 V en SI = 5 A
USOS
Para el uso en convertidores de alta frecuencia de la baja tensión
DC/DC,
diodos que andan sin embragar, y usos de la protección de la
polaridad
CARACTERÍSTICAS
• Perfil bajo mismo - altura típica de 1,3 milímetros
• Tecnología de MOS Schottky del foso
• Ideal para la colocación automatizada
• Caída de voltaje delantera baja, pérdidas de la energía baja
• Operación de la eficacia alta
• Nivel 1 de las reuniones MSL, por J-STD-020,
SI pico máximo del °C 260
• AEC-Q101 calificó disponible
- Código el ordenar automotriz: base P/NHM3
• Clasificación material
Descripción
Este MOSFET del poder de HEXFET® utiliza las últimas técnicas de
proceso para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área
del silicio.
Las características adicionales de este producto son una
temperatura de funcionamiento del empalme 175°C, velocidad
rápidamente que cambia y grado repetidor mejorado de la avalancha.
Estas características combinan para hacer este diseño un
dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una
amplia variedad de usos.
Características:
Avalancha repetidor que cambia rápida ultrabaja avanzada de la
temperatura de funcionamiento de la En-resistencia 175°C de la
tecnología de proceso permitida hasta el pasto de Tjmax D-Pak
IRLR3915PbF Yo-Pak IRLU3915PbF
Especificaciones técnicas del producto
Categoría | Productos de semiconductor discretos |
Diodos - rectificadores - solos | |
Mfr | General semiconductor - división de Vishay de los diodos |
Serie | Automotriz, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
Paquete | Cinta y carrete (TR) |
Situación de la parte | Activo |
Tipo del diodo | Schottky |
Voltaje - revés de DC (Vr) (máximo) | 45 V |
Actual - media rectificada (Io) | 20A |
Voltaje - delantero (Vf) (máximo) @ si | 660 milivoltio @ 20 A |
Velocidad | Recuperación rápida =< 500ns=""> 200mA (Io) |
Actual - salida reversa @ Vr | µA 700 @ 45 V |
Capacitancia @ Vr, F | 3100pF @ 4V, 1MHz |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete/caso | TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SlimDPAK |
Temperatura de funcionamiento - empalme | -40°C ~ 175°C |
Número bajo del producto | V20PWM45 |
| Número de parte | V20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I |
| Número de parte bajo | V20PWM45C-M3/I |
| UE RoHS | Obediente con la exención |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Situación de la parte | Activo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrera Schottky Rectificador
Carro de la investigación
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