Canal N 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF del MOSFET del poder de Infineon HEXFET
Number modelo:IRLR3915TRPBF
Cantidad de orden mínima:1 pedazo
Condiciones de pago:T/T
Plazo de expedición:2~8 días laborables
Marca:Infineon Technologies/rectificador internacional IOR
Certificado:/
Contacta
Add to Cart
Miembro activo
Guangzhou Guangdong China
Dirección:
Room 2201-03, Room 2206, Changfeng International 1, No. 96, Lixin No. 12 Road, Zengcheng District, Guangzhou City, Guangdong province
Proveedor Último login veces:
Dentro de 47 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Descripción de producto
Canal N 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF del MOSFET del poder de Infineon HEXFET
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/productos de semiconductor discretos internacionales del canal N 55V 30A DPAK del MOSFET del rectificador IOR HEXFET
Soporte D-Pak de la superficie 120W (Tc) del canal N 55 V 30A (Tc)
Descripción
Este MOSFET del poder de HEXFET® utiliza las últimas técnicas de proceso para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio.
Las características adicionales de este producto son una temperatura de funcionamiento del empalme 175°C, velocidad rápidamente que cambia y grado repetidor mejorado de la avalancha. Estas características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
Características:
Avalancha repetidor que cambia rápida ultrabaja avanzada de la temperatura de funcionamiento de la En-resistencia 175°C de la tecnología de proceso permitida hasta el pasto de Tjmax D-Pak IRLR3915PbF Yo-Pak IRLU3915PbF
Especificaciones técnicas del producto
| Número de parte | IRLR3915TRPBF |
| Número de parte bajo | IRLR3915 |
| UE RoHS | Obediente con la exención |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Situación de la parte | Activo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
Categoría | Productos de semiconductor discretos |
Transistores - FETs, MOSFETs - solos | |
Mfr | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Paquete | Cinta y carrete (TR) |
Situación de la parte | Activo |
Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 55 V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 30A (Tc) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 14mOhm @ 30A, 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
Vgs (máximo) | ±16V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 1870 PF @ 25 V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 120W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-Pak |
Paquete/caso | TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63 |
Número bajo del producto | IRLR3915 |
Canal N 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF del MOSFET del poder de Infineon HEXFET
Carro de la investigación
0