Mosfets discretos del poder de los dispositivos de semiconductor del transistor del canal N SIHF10N40D-E3
Number modelo:SIHF10N40D-E3
Cantidad de orden mínima:1 pedazo
Condiciones de pago:T/T
Plazo de expedición:2~8 días laborables
Marca:Semiconductor de Vishay
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Miembro activo
Guangzhou Guangdong China
Dirección:
Room 2201-03, Room 2206, Changfeng International 1, No. 96, Lixin No. 12 Road, Zengcheng District, Guangzhou City, Guangdong province
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Dentro de 47 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Especificaciones técnicas del producto
Mosfets discretos del poder de los semiconductores SIHF10N40D-E3 del transistor del canal N
| UE RoHS | Obediente |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Situación de la parte | Activo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotriz | No |
| PPAP | No |
| Categoría de producto | MOSFET del poder |
| Configuración | Solo |
| Modo del canal | Aumento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por microprocesador | 1 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) | 400 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) | ±30 |
| Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) | 5 |
| Dren continuo máximo (a) actual | 10 |
| Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) | 100 |
| IDSS máximo (UA) | 1 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) | 600@10V |
| Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta | 15@10V |
| Carga típica @ 10V (nC) de la puerta | 15 |
| Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) | 526@100V |
| Disipación de poder máxima (mW) | 33000 |
| Tiempo de caída típico (ns) | 14 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 18 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) | 18 |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) | 12 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) | 150 |
| Paquete del proveedor | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Nombre del paquete estándar | TO-220 |
| Montaje | A través del agujero |
| Altura del paquete | 16,12 (máximo) |
| Longitud del paquete | 10,63 (máximo) |
| Anchura del paquete | 4,83 (máximo) |
| El PWB cambió | 3 |
| Etiqueta | Etiqueta |
| Forma de la ventaja | A través del agujero |
| Número de parte | SIHF10N40D-E3 |
| Número de parte bajo | SIHF10N40 |
| UE RoHS | Obediente con la exención |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Situación de la parte | Activo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
Mosfets discretos del poder de los dispositivos de semiconductor del transistor del canal N SIHF10N40D-E3
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