Los circuitos integrados ICs C de JS28F512M29EWHA DESTELLAN los componentes PARALELOS 56TSOP ic de los 512M
Number modelo:JS28F512M29EWHA
Condiciones de pago:D/A, T/T, Western Union
Plazo de expedición:1-2 días del trabajo
Detalles de empaquetado:Cinta y carrete (TR)
Paquete/caso:56-TFSOP (0,724", anchura de 18.40m m)
Montaje del tipo:Soporte superficial
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Shenzhen China
Dirección:
6909A SEG Plaza, No. 1002 Huaqiang North Street, Futian District, Shenzhen City, China
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| Situación sin plomo/situación de RoHS: | Sin plomo/RoHS obediente |
|---|---|
| Descripción detallada: | FLASH - NI paralelo 110ns 56-TSOP (14x20) de IC 512Mb (los 64M x 8, los 32M x 16) de la memoria |
| Voltaje - fuente: | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Tamaño de la memoria: | 512Mb (los 64M x 8, los 32M x 16) |
| Interfaz de la memoria: | Paralelo |
| Escriba la duración de ciclo - palabra, página: | 110ns |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL): | 3 (168 horas) |
| Número de parte bajo: | 28F512M29EW |
| Otros nombres: | 557-1621 904393 904393-ND JS28F512M29EWH 904393 JS28F512M29EWHA-ND |
| Formato de la memoria: | FLASH |
| Tecnología: | FLASH - NI |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Puntos culminantes calientes de las ofertas
| Modelo del producto | Marca |
| GD32F103RCT6 | GD |
| FAN3111ESX | EN |
| ESDAXLC6-1BT2 | ST |
| BTA16-600BWRG | ST |
| STM32F756ZGT6 | ST |
| STM32F765IIK6 | ST |
| LIS2DE12TR | ST |
| CYPD5225-96BZXIT | CYPRESS |
| STM32WLE5CCU6 | ST |
| STM8L051F3P6TR | ST |
Problema común
Estamos confiados a proveer de clientes los productos de alta
calidad y los servicios.
Q: ¿Cómo investigar/orden JS28F512M29EWHA?
: Haga clic por favor “consiguen el mejor precio” y después hacen clic “SOMETEN”. Cita de la petición.
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: Después de recibir la información, le entraremos en contacto con por el correo electrónico cuanto antes.
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: Aceptamos T/T (alambre de banco), Paypal, Western Union.
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Carro de la investigación
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