G12181-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicación óptica
Número de modelo:G12181-003A
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Sensor fotoeléctrico infrarrojo G12181-003A (fotodiodo PIN de InGaAs) para sistemas de comunicación óptica
Áreas de aplicación:
- Sistemas de comunicación óptica: Detecta señales NIR de alta velocidad (bandas de 1.3/1.55 μm) en transceptores de fibra óptica, lo que permite una transmisión de datos fiable en redes de telecomunicaciones.
- Medidores de potencia óptica de precisión: Sirve como un componente de detección central para medir la potencia óptica NIR en pruebas de laboratorio, mantenimiento de fibra óptica y calibración de láseres.
- Monitorización y pruebas de láseres: Permite la monitorización en tiempo real de la intensidad de salida del láser (por ejemplo, en láseres industriales, láseres médicos) y pruebas de ciclo de vida de los diodos láser.
- Fotometría de infrarrojo cercano: Se utiliza en análisis bioquímicos, ciencia de materiales y monitorización ambiental para medir la absorción, transmisión o reflexión de la luz NIR.
- Aeroespacial y defensa: Adecuado para la detección de objetivos basada en NIR, teledetección y sistemas de guiado óptico (gracias al amplio rango de temperatura y al bajo ruido).
Características principales:
- Cobertura NIR amplia: El rango espectral de 0.9–1.7 μm se alinea con las longitudes de onda clave para aplicaciones de comunicación, láser y fotometría.
- Corriente oscura ultrabaja: La corriente oscura máxima de 0.3 nA minimiza el ruido de fondo, lo que garantiza una alta relación señal-ruido (SNR) para la detección con poca luz.
- Respuesta de alta velocidad: La frecuencia de corte de 800 MHz admite la detección rápida de señales, ideal para la comunicación óptica de gran ancho de banda o la monitorización de láseres pulsados.
- Paquete compacto y duradero: El paquete metálico TO-18 ofrece estabilidad mecánica, fácil integración en circuitos y compatibilidad con montajes ópticos estándar.
- Sensibilidad constante: El bajo coeficiente de temperatura de la sensibilidad garantiza un rendimiento fiable en diferentes temperaturas ambiente.
Parámetro | Especificación (Típ. / Máx.) | Condiciones de prueba |
|---|---|---|
| Área fotosensible | φ0.3 mm | - |
| Número de elementos de detección | 1 (Elemento único) | - |
| Método de refrigeración | Sin refrigeración (refrigeración ambiente pasiva) | - |
| Rango de respuesta espectral | 0.9 – 1.7 μm | Cubre bandas NIR críticas (por ejemplo, 1.3/1.55 μm para telecomunicaciones) |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | ~1.55 μm | - |
| Fotosensibilidad | Típ. 1.1 A/W | λ = 1.55 μm, Voltaje inverso (Vᵣ) = 5V, Tₐ = 25℃ |
| Corriente oscura | Máx. 0.3 nA | Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃, Sin luz incidente |
| Frecuencia de corte (-3dB) | Típ. 800 MHz | Vᵣ = 5V, Resistencia de carga (Rₗ) = 50Ω, λ = 1.3 μm |
| Capacitancia de unión | Típ. 4 pF | Vᵣ = 5V, Frecuencia (f) = 1 MHz |
| Potencia equivalente de ruido (NEP) | Típ. 3.5×10⁻¹⁵ W/Hz¹/² | λ = 1.55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
| Detectividad (D*) | Típ. 7.2×10¹² cm·Hz¹/²/W | λ = 1.55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
| Resistencia de derivación | 300 – 1200 MΩ | Vᵣ = 0V, Tₐ = 25℃, Sin luz |
| Voltaje inverso máximo (Vᵣₘₐₓ) | 20 V | Tₐ = 25℃ |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40℃ – 100℃ | Rendimiento estable en entornos industriales hostiles |
| Rango de temperatura de almacenamiento | -55℃ – 125℃ | - |
| Coeficiente de temperatura de sensibilidad | 1.08 veces/℃ | En relación con 25℃, λ = 1.55 μm |
G12181-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de comunicación óptica
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