G12180-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de vigilancia láser

Número de modelo:G12180-003A
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G12180-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de vigilancia láser

 

1Áreas de aplicación:

  • Sistemas de monitoreo de láser: permite la detección y monitoreo en tiempo real de la intensidad de salida del láser en el procesamiento de láser industrial, equipos láser médicos y configuraciones de láser de grado de investigación.garantizar un rendimiento del láser estable.
  • Medidores de potencia óptica: sirve como componente de detección central en dispositivos de medición de potencia óptica,Captura precisa de señales de potencia óptica del infrarrojo cercano (NIR) para aplicaciones como pruebas de fibra óptica y fotometría de laboratorio.
  • Prueba del ciclo de vida del diodo láser: Resiste el funcionamiento a largo plazo y mantiene una respuesta constante.que lo hace adecuado para evaluar la durabilidad y la degradación del rendimiento de los diodos láser durante su vida útil.
  • Fotometría del infrarrojo cercano (NIR): facilita la medición precisa de la absorción, transmisión o reflexión de la luz NIR en campos como el análisis bioquímico, la ciencia de materiales,y el seguimiento ambiental.
  • Sistemas de comunicación óptica: Detecta señales ópticas NIR de alta velocidad (por ejemplo, en bandas de longitud de onda de 1,3 μm o 1,55 μm) para su uso en transceptores de comunicación de fibra óptica.garantizar una transmisión fiable de datos en las redes de telecomunicaciones.

2Características clave:

  • Respuesta espectral NIR amplia: opera a través de un rango de longitud de onda de 0,9 ∼1,7 μm, cubriendo bandas críticas para comunicaciones ópticas, aplicaciones láser y fotometría NIR.
  • Alta sensibilidad: ofrece una fotosensibilidad típica de 1.1 A / W (en la longitud de onda máxima ~ 1.55 μm), lo que permite la detección precisa de señales ópticas NIR de baja intensidad.
  • Corriente oscura baja: presenta una corriente oscura máxima de 0,5 nA (bajo voltaje inverso VR = 5V), minimizando el ruido de fondo y mejorando la relación señal-ruido (SNR) para mediciones precisas.
  • Rendimiento de alta velocidad: Cuenta con una frecuencia de corte típica de 600 MHz, que admite la detección de señales de alta velocidad para aplicaciones como comunicación óptica rápida o monitoreo de pulsos láser.
  • Paquete compacto y robusto: se encuentra en un paquete TO-18 (un paquete de metal compacto estándar), que garantiza la estabilidad mecánica, la fácil integración en los diseños de circuitos,y compatibilidad con las configuraciones de montaje óptico estándar.
  • Amplio rango de temperatura de funcionamiento: Funciona de manera confiable en temperaturas de -40 °C a 100 °C, por lo que es adecuado para ambientes industriales ásperos o aplicaciones al aire libre.
  • Capacidad de unión baja: Tiene una capacidad de unión típica de 5 pF (VR = 5V), reduciendo la distorsión de la señal y mejorando el rendimiento de alta frecuencia.
Tipo de sensorFotodiodo PIN de InGaAs-
Tipo de paqueteTO-18 (en inglés)-
Modo de funcionamientoLas demás:-
Diámetro del área fotosensibleφ0,3 mm-
Número de elementos1-
Método de enfriamientoSin enfriar-
Rango de respuesta espectral0.9 1.7 μm-
Duración de onda de sensibilidad máxima~ 1,55 μm-
FotosensibilidadTipo 1.1 A/WSe aplicará el método de ensayo siguiente:
Corriente oscuraMáximo 0,5 nAV = 5V, Ta = 25°C, sin luz
Frecuencia de corte (-3dB)Tipo 600 MHzV = 5V, Rl = 50Ω, λ = 1,3 μm
Capacidad de las unionesTipo 5 pFV = 5V, f = 1 MHz
Potencia equivalente al ruido (NEP)Tipo 4.2×10−15 W/Hz1/2Se aplicará el método de medición de la presión en el caso de los motores de combustión interna.
Detectividad (D*)Tipo 6.3×1012 cm·Hz1/2/WSe aplicará el método de medición de la presión en el caso de los motores de combustión interna.
Resistencia a la derivación200 1000 MΩV = 0V, Ta = 25°C, sin luz
La tensión máxima inversa (Vrmax)20 VTa = 25°C
Material de las ventanasVidrio de borosilicato-
Rango de temperatura de funcionamiento-40 °C 100 °C-
Rango de temperatura de almacenamiento-55 °C 125 °C-
Coeficiente de sensibilidad a la temperatura10,09 veces/°C 

 

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G12180-003A Sensor fotoeléctrico infrarrojo (fotodiodo PIN InGaAs) para sistemas de vigilancia láser

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