S12060-10 Fotodiodo de avalancha de silicio coeficiente de baja temperatura
Número de modelo:S12060 a 10
Cantidad mínima de pedido:Estándar
Capacidad de suministro:3000/pcs/mes
Tiempo de entrega:3-5Días laborables
Detalles del embalaje:Estándar
El tipo:Tipo del infrarrojo cercano
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Shenzhen Guangdong China
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Habitación 3306AB, piso 33, SEG Plaza, calle Huaqiang Norte, distrito de Futian, provincia de Shenzhen Guangdong 518028
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S12060-10 Fotodiodo de avalancha de silicio coeficiente de baja temperatura
Se trata de un APD de Si de banda cercana al infrarrojo de 800 nm que puede operar de manera estable en un amplio rango de temperaturas, adecuado para aplicaciones como telémetros ópticos y FSO (óptica del espacio libre).
Características
- Coeficiente de temperatura de tensión de ruptura: 0,4 V/°C
- Respuesta de alta velocidad
- Alta sensibilidad, bajo ruido
| Sensibilidad (típica) | 0.5 A/W |
| Corriente oscura (máxima) | 2 nA |
| Frecuencia de corte (típica) | 600 MHz |
| Capacidad terminal (típica) | 6 pF |
| Tensión de ruptura (típica) | Las demás: |
| Coeficiente de temperatura del voltaje de ruptura (típico) | 0.4 V/°C |
| Ganancia (típica) | 100 |
S12060-10 Fotodiodo de avalancha de silicio coeficiente de baja temperatura
Carro de la investigación
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