Sensor del fotodiodo del silicio de S12915 33R para el fotómetro general

Number modelo:S12915-33R
Lugar del origen:Japón
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Sensor del fotodiodo del silicio de S12915 33R para el fotómetro general


Fotodiodo S12915-33R del silicio para el fotómetro general en visible a la banda infrarroja


Características:

Nueva unidad tradicional del producto de la carta

Modelo S12915-33R S2387-33R -

Sello plástico material del rellenado de la ventana -

Paquete 6 x 7.6m m

El tamaño superficial de recepción es 2,4 el × 2.4m m

Área fotosensible eficaz 5,7 mm2

El voltaje reverso máximo es 30 V

Temperatura de funcionamiento -20 ~ ℃ +60

Temperatura de almacenamiento -20 ~ ℃ +80

Las gamas de longitud de onda de la sensibilidad a partir del 340 nanómetro a 1100 nanómetro

La longitud de onda máxima de la sensibilidad es 960 nanómetro

La sensibilidad típica es 0,64 0.58A /W

La corriente típica del cortocircuito es el μA 5,7 5,8

La corriente oscura máxima es PA 5

Coeficiente de temperatura de la identificación 1,12 veces/°C

El tiempo de subida típico es 1,6 1,8 μs

Valor típico 680 730 PF de la capacitancia de empalme

Valor típico 50 GΩ de la resistencia de desviación

× equivalente 9,9 10-16 W/Hz1/2 del × 10-16 del poder 9,0 del ruido

Valor típico Ta=25°C, sensibilidad: λ=λp, corriente oscura: VR=10 milivoltio, tiempo de subida: VR=0 V, f=10 kilociclo, resistencia del shvolt: VR=10 milivoltio, poder equivalente del ruido: VR=0 V, λ=λp, salvo que se indique lo contrario


Especificaciones:

el tiempo de subida típico es1,6 1,8 μs
Valor típico de la capacitancia de empalme680 730 PF
Valor típico de la resistencia de desviación50 GΩ
Coeficiente de temperatura de la identificación1,12 veces/°C


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Sensor del fotodiodo del silicio de S12915 33R para el fotómetro general

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