S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm
Número de modelo:S12060-02
Lugar de origen:China
Cantidad mínima de pedido:1
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Capacidad de suministro:1000 unidades por mes
El tiempo de entrega:5-8workingdays
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Shenzhen Guangdong China
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Habitación 3306AB, piso 33, SEG Plaza, calle Huaqiang Norte, distrito de Futian, provincia de Shenzhen Guangdong 518028
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Detalles del producto
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Detalles del producto
S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm
Características:
Coeficiente de temperatura del voltaje de ruptura:
0.4 V/°C
Respuesta de alta velocidad
Alta sensibilidad y bajo ruido
Aplicaciones:
Máquinas y aparatos para la fabricación de máquinas de la partida
8521
FSO
Comunicaciones de fibra óptica
Hoja de datos:
| longitud de onda de sensibilidad máxima (típica) | 800 nm |
| Rango de longitudes de onda de sensibilidad | de 400 a 1000 nm |
| Fotosensibilidad (típica) | 0.5 A/W |
| Corriente oscura (máxima) | 0.5 nA |
| Frecuencia de corte (típica) | 1 000 MHz |
| Capacidad de unión (típica) | 1.5 pF |
| Tensión de ruptura (típica) | Las demás: |
| Coeficiente de temperatura del voltaje de ruptura (típico) | 0.4 V/°C |
| Ratio de ganancia (valor típico) | 100 |
S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm
Carro de la investigación
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