Funcionamiento en modo fotovoltaico basado en fotodiodo UV GT-UVV-LW InGaN

Number modelo:GT-UVV-LW
lugar de origen:China.
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Capacidad de suministro:2000 piezas/mes
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Dirección: Habitación 3306AB, piso 33, SEG Plaza, calle Huaqiang Norte, distrito de Futian, provincia de Shenzhen Guangdong 518028
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Descripción del producto:

Funcionamiento en modo fotovoltaico basado en fotodiodo UV GT-UVV-LW InGaN

 

Características:

Características generales: l Material a base de nitruro de indio y de galio

L Funcionamiento en modo fotovoltaico

Casilla de metal para el TO-46

L Alta capacidad de respuesta y baja corriente oscura

Aplicaciones: Monitoreo de LED UV, medición de dosis de radiación UV, curado UV

Parámetros Valor del símbolo Unidad Clasificaciones máximas

Rango de temperatura de funcionamiento Topt -25-85 oC

Intervalo de temperatura de almacenamiento Tto -40-85 oC

Temperatura de soldadura (3 s) Tsol 260 oC

Ventilación inversa Vr-máximo -10 V

Características generales (25 oC) Tamaño del chip A 1 mm2 Corriente oscura (Vr = -1 V) Id

< 1 nA Coeficiente de temperatura Tc 0,05 %/ oC Capacidad (a 0 V y 1 MHz) Cp 60 p>

 

Especificaciones:

EspecificacionesParámetros
longitud de onda máxima390 nm
Sensibilidad a la luz0.289A/W
El rango de respuesta espectral (R=0,1 × Rmax)- 290 a 440 nm
La relación de rechazo UV visible (Rmax/R400 nm)- > 10

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Funcionamiento en modo fotovoltaico basado en fotodiodo UV GT-UVV-LW InGaN

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