Sensor de detección de fotodiodos UV de GT-UVB-M
Number modelo:GT-UVB-M
Lugar del origen:China
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Capacidad de suministro:3000/pcs/mes
Plazo de expedición:días 3-5work
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Habitación 3306AB, piso 33, SEG Plaza, calle Huaqiang Norte, distrito de Futian, provincia de Shenzhen Guangdong 518028
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Descripción del producto:
Sensor de detección de fotodiodos UV de GT-UVB-M
Características:
Características generales: l Respuesta selectiva a la banda UVB+UVC l Funcionamiento en modo fotovoltaico l Casilla de metal TO-46 l Buena ceguera visible l Alta sensibilidad y baja corriente oscura Aplicaciones:Monitoreo de las lámparas UVB, medición de dosis de radiación UVB Especificaciones: Parameters Symbol Value Unit Maximum ratings Operation temperature range Topt -25-85 oC Storage temperature range Tsto -40-80 oC Soldering temperature (3 s) Tsol 260 oC Reverse voltage Vr-max -10 V General characteristics (25 oC) Chip size A 0.77 mm2 Corriente oscura (Vr = -5 V) Id < 1 nA Coeficiente de temperatura (@ 265 nm) Tc 0,05 %/ oC Capacidad (a 0 V y 1 MHz) Cp 18 pF>
Especificaciones:
| longitud de onda de la respuestas de pico | λ p 290 nm |
| Respuesta máxima (a 385 nm) | Rmax 0,129 A/W |
| El rango de respuesta espectral (R=0,1 × Rmax) | 230 a 325 nm |
| La relación de rechazo UV visible (Rmax/R450 nm) | - > 10 - |
Sensor de detección de fotodiodos UV de GT-UVB-M
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