UVA GaN-basó la operación fotovoltaica ULTRAVIOLETA del modo del sensor GS-AB-S del fotodiodo

Number modelo:GS-AB-S
Lugar del origen:China
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Capacidad de la fuente:1501/pcs/pre
Plazo de expedición:días 3-5work
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Habitación 3306AB, piso 33, SEG Plaza, calle Huaqiang Norte, distrito de Futian, provincia de Shenzhen Guangdong 518028
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Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Descripción de producto:

GS-AB-S GaN-basó el fotodiodo ULTRAVIOLETA


Características:

Fotodiodo amplio de la banda UVA+UVB+UVC

Operación fotovoltaica del modo

Vivienda de TO-46metal

Buena ceguera visible

Alto responsivity y corriente oscura baja

Supervisión ULTRAVIOLETA del índice, medida ULTRAVIOLETA de la dosis de radiación, detección de la llama

Especificación


ParámetrosSímboloValorUnidad
Grados máximos
Gama de temperaturas de la operaciónTopt-25-85Oc
Gama de temperaturas de almacenamientoTsto-40-85Oc
Temperatura que suelda (3 s)Tsol260Oc
Voltaje reversoVr-máximo-10V
Características generales (25 Oc)
Tamaño del microprocesador1mm2
Actual oscuro (Vr = -1 V)Identificación<1>nA
Coeficiente de temperatura (@265 nanómetro)Tc0,05% Oc
Capacitancia (en 0 V y 1 megaciclo)Cp18PF
Características de respuesta espectral (25 Oc)
Longitud de onda del responsivity máximoλ p355nanómetro
Responsivity máximo (en 355 nanómetro)Rmax0,20A/W
Gama de la respuesta espectral (R=0.1×Rmax)-210-370nanómetro
ratio de rechazo Ultravioleta-visible (Rmax/R400 nanómetro)->104-

Especificaciones:

EspecificacionesParámetros
Longitud de onda máxima355NM
Sensibilidad ligera0.20A/W
Tiempo de subida3US
Condiciones de pruebavalores típicos, Ta=25°

China UVA GaN-basó la operación fotovoltaica ULTRAVIOLETA del modo del sensor GS-AB-S del fotodiodo supplier

UVA GaN-basó la operación fotovoltaica ULTRAVIOLETA del modo del sensor GS-AB-S del fotodiodo

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