Fotodiodo fotoeléctrico infrarrojo de la avalancha del silicio del sensor S8745-01 en aparatos de medición

Number modelo:S8745-01
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:1501/pcs/pre
Plazo de expedición:días 3-5work
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Habitación 3306AB, piso 33, SEG Plaza, calle Huaqiang Norte, distrito de Futian, provincia de Shenzhen Guangdong 518028
Proveedor Último login veces: Dentro de 26 Horas
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Detalles del producto

Descripción de producto:

Los fotodiodos del silicio S8745-01 con los preamplificadores se utilizan en aparatos de medición analíticos o


Características:

Fotodiodos del preamplificador con los resistores y los condensadores integrados de la reacción

S8745-01 es un sensor de poco ruido integrado por los fotodiodos, amplificadores operativos, resistores de la reacción y condensadores, embalados todo en un paquete muy pequeño. Cuando está conectado con una fuente de energía, puede ser utilizado para las medidas ligeras débiles, tales como dispositivos del análisis o aparatos de medición. Su superficie sensible a la luz está conectada con el extremo de la tierra y tiene alta resistencia del ruido del EMC.

Características de producto

Conveniente para la determinación fotométrica exacta del ultravioleta acercar a infrarrojo

Pequeño paquete del metal con la ventana del cuarzo: TO-5

Área fotosensible: 2,4×2.4milímetro

Rf=1 incorporado Gω Cf=5 PF

El FET de la energía baja entró el de Op. Sys.-amperio

NEP de poco ruido, bajo

Resistencia de externo para alcanzar aumento variable

Paquete con proteger la función

Resistencia del ruido del EMC


Especificaciones:

Voltaje reverso (máximo)20 V
la gama de la respuesta espectral es190 a 1100 nanómetro
Longitud de onda máxima de la sensibilidad (valor típico)960 nanómetro
Poder equivalente del ruido (valor típico)11×10-15 con hz1/2
Condiciones de la medidaTipo. Ta=25 ℃, F =10Hz, λ=λp, a menos que se indicare en forma diferente


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Fotodiodo fotoeléctrico infrarrojo de la avalancha del silicio del sensor S8745-01 en aparatos de medición

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