S1336-5BQ Fotodiodo de silicio UV a NIR para fotometría de precisión
Number modelo:S1336-5BQ
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de suministro:2000 piezas/mes
Plazo de expedición:días 3-5work
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Habitación 3306AB, piso 33, SEG Plaza, calle Huaqiang Norte, distrito de Futian, provincia de Shenzhen Guangdong 518028
Proveedor Último login veces:
Dentro de 26 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
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Descripción del producto:
S1336-5BQ Fotodiodo de silicio UV a NIR para fotometría de precisión
Características:
Apto para la determinación fotométrica precisa de ultravioleta a infrarrojo cercano
Las características
● Alta sensibilidad en la banda ultravioleta
Baja capacidad baja
● Alta confiabilidad
Tiempo de aumento (valor típico).0.2 u s
Capacidad de unión (valor típico) 65 pF
Condición de medición Ta=25°C, Tipo, salvo indicación en contrario, Fotosensibilidad: λ=960 nm, Corriente oscura: VR=10 mV, Tiempo de elevación:VR=0 V, capacidad del terminal: VR=0 V, f=10 kHz
Especificaciones:
| Válvulas de reversión (máx.) | 5 V |
| el rango de respuesta espectral es | de 190 a 1100 nm |
| longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) | 960 nm |
| Sensibilidad (valor típico) | 0.5 A/W |
| Corriente oscura (máxima) | 30 pA |
S1336-5BQ Fotodiodo de silicio UV a NIR para fotometría de precisión
Carro de la investigación
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