Fotodiodo infrarrojo fotoeléctrico del silicio del sensor de S1227-1010BQ para el ultravioleta a la luz visible
Number modelo:S1227-1010BQ
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:33
Detalles de empaquetado:En una caja
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Habitación 3306AB, piso 33, SEG Plaza, calle Huaqiang Norte, distrito de Futian, provincia de Shenzhen Guangdong 518028
Proveedor Último login veces:
Dentro de 26 Horas
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Descripción de producto:
El fotodiodo del silicio de S1227-1010BQ es conveniente para el ultravioleta a la medida fotométrica ligera visible de la precisión
Características:
Conveniente para el ultravioleta a la luz visible, determinación fotométrica de la precisión; Supresión de la sensibilidad infrarroja de la banda
Alta sensibilidad ULTRAVIOLETA (tipo de la ventana del cuarzo): QE el = 75% (λ=200 nanómetro)
Supresión de la sensibilidad infrarroja de la banda
Corriente oscura baja
Especificaciones:
| La gama de la respuesta espectral es | 190 a 1000 nanómetro |
| Longitud de onda máxima de la sensibilidad (valor típico) | 720 nanómetro |
| Sensibilidad (valor típico) | 0,36 A/W |
| Actual oscuro (máximo) | PA 50 |
| Tiempo de subida (valor típico.) | 7 MU s |
| Capacitancia de empalme (valor típico) | 3000 PF |
Respuesta espectral:
Fotodiodo infrarrojo fotoeléctrico del silicio del sensor de S1227-1010BQ para el ultravioleta a la luz visible
Carro de la investigación
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