Tipo sensor fotoeléctrico infrarrojo de S1226-8BQ U para la fotometría de la precisión
Number modelo:S1226-8BQ
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:5
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:1501/pcs/pre
Plazo de expedición:días 3-5work
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Habitación 3306AB, piso 33, SEG Plaza, calle Huaqiang Norte, distrito de Futian, provincia de Shenzhen Guangdong 518028
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Dentro de 26 Horas
Detalles del producto
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Detalles del producto
Descripción de producto:
Los fotodiodos del silicio de S1226-8BQ son convenientes para ULTRAVIOLETA a la fotometría ligera visible de la precisión suprimir a NIR Sensitivity
Características:
●Alta sensibilidad ULTRAVIOLETA: QE el = 75% (λ=200 nanómetro)
●Suprima la sensibilidad de NIR
●Corriente oscura baja
●Alta confiabilidad
(PA actual oscuro) 20 máximos
Tiempo de subida (valor típico). 2 MU s
Capacitancia de empalme (valor típico) 1200 PF
℃ de la condición Ta=25 de la medida, tipo., a menos que se indicare en forma diferente, fotosensibilidad: λ=720 nanómetro, corriente oscura: VR=10 milivoltio, capacitancia terminal: VR=0 V, f=10 kilociclo
Especificaciones:
| Voltaje reverso (máximo) | 5V |
| la gama de la respuesta espectral es | 190 a 1000 nanómetro |
| la longitud de onda máxima de la sensibilidad (valor típico) era | 720 nanómetro |
| Tipo | photoelectricity infrarrojo |
Tipo sensor fotoeléctrico infrarrojo de S1226-8BQ U para la fotometría de la precisión
Carro de la investigación
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