Fotodetector infrarrojo del silicio de S1337-66BQ en ultravioleta a la banda infrarroja
Number modelo:S1337-66BQ
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:311/pcs/pre
Plazo de expedición:días 3-5work
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Habitación 3306AB, piso 33, SEG Plaza, calle Huaqiang Norte, distrito de Futian, provincia de Shenzhen Guangdong 518028
Proveedor Último login veces:
Dentro de 26 Horas
Detalles del producto
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Descripción de producto:
El fotodiodo infrarrojo del silicio de S1337-66BQ se utiliza para la determinación fotométrica exacta en ultravioleta a la banda infrarroja
Características:
Conveniente para la determinación fotométrica exacta del ultravioleta a la banda infrarroja
Alta sensibilidad ULTRAVIOLETA: QE el = 75% (λ=200 nanómetro)
Capacitancia baja
Condiciones de la medida: Ta=25 ℃, tipo., a menos que se indicare en forma diferente, fotosensibilidad: λ=960 nanómetro, corriente oscura: VR=10 milivoltio, tiempo de subida: VR=0 V, capacitancia terminal: VR=0 V, f=10 kilociclo
Especificaciones:
| Longitud de onda máxima de la sensibilidad (valor típico) | 960 nanómetro |
| Sensibilidad (valor típico) | 0,5 A/W |
| Actual oscuro (máximo) | PA 100 |
| Tiempo de subida (valor típico) | 1 MU s |
| Capacitancia de empalme (valor típico) | 380 PF |
Fotodetector infrarrojo del silicio de S1337-66BQ en ultravioleta a la banda infrarroja
Carro de la investigación
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