G8370-81 sensor fotoeléctrico infrarrojo PDL bajo, InGaAs PIN Photodiode
Number modelo:G8370-81
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:1501/pcs/pre
Plazo de expedición:días 3-5work
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Habitación 3306AB, piso 33, SEG Plaza, calle Huaqiang Norte, distrito de Futian, provincia de Shenzhen Guangdong 518028
Proveedor Último login veces:
Dentro de 26 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Descripción de producto:
G8370-81 InGaAs PIN Photodiode Low PDL (pérdida dependiente de la polarización)
Características:
PDL bajo (pérdida dependiente de la polarización)
El fotodiodo G8370-81 del PIN de InGaAs tiene PDL bajo (pérdida dependiente de la polarización), resistencia del shitter y muy de poco ruido grandes en elμm 1,55.
Características de producto
PDL bajo (pérdida dependiente de la polarización)
●Corriente oscura de poco ruido, baja
●Área fotográfica grande
●Área fotosensible: φ1 milímetro
Poder equivalente del ruido (valor típico) 2×10-14conhz1/2
℃ de las condiciones TYPE.TA =25 de la medida, fotosensibilidad: λ=λp, corriente oscura: VR=1 V, frecuencia de atajo: VR=1 V, RL=50 ω, -3 DB, capacitancia terminal: VR=1 V, F =1 megaciclo, a menos que se indicare en forma diferente
Especificaciones:
| la longitud de onda máxima de la sensibilidad (valor típico) era | μm 1,55 |
| Sensibilidad (valor típico) | 1,1 A/W |
| Actual oscuro (máximo) | nA 5 |
| Frecuencia de atajo (valor típico) | 35 megaciclos |
| Capacitancia de empalme (valor típico) | 90 PF |
| Poder equivalente del ruido (valor típico) | 2×10-14 con hz1/2 |
G8370-81 sensor fotoeléctrico infrarrojo PDL bajo, InGaAs PIN Photodiode
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