Determinación fotométrica de Pin Avalanche Photodiode For Precision del silicio de S1336-44BQ
Number modelo:S1336-44BQ
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:311
Detalles de empaquetado:Tubos de
Contacta
Add to Cart
Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Habitación 3306AB, piso 33, SEG Plaza, calle Huaqiang Norte, distrito de Futian, provincia de Shenzhen Guangdong 518028
Proveedor Último login veces:
Dentro de 26 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Descripción de producto:
El fotodiodo del silicio de S1336-44BQ se utiliza para la determinación fotométrica de la precisión en ultravioleta para acercar a infrarrojo
Características:
Alta sensibilidad en la banda ULTRAVIOLETA
Capacitancia baja
Alta confiabilidad
Especificaciones:
| La gama de la respuesta espectral es | 190 a 1100 nanómetro |
| Longitud de onda máxima de la sensibilidad (valor típico) | 960 nanómetro |
| Sensibilidad (valor típico) | 0.5A/W |
| Actual oscuro (máximo) | PA 50 |
| Tiempo de subida (valor típico.) | 0,5 MU s |
| Capacitancia de empalme (valor típico) | 150 PF |
Respuesta espectral:
Determinación fotométrica de Pin Avalanche Photodiode For Precision del silicio de S1336-44BQ
Carro de la investigación
0