Transistor de canal N de Mosfet con IPD80R1K4P7 TO-252

Number modelo:IPD80R1K4P7
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:1PCS
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Capacidad de la fuente:37830pcs
Plazo de expedición:3
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Shenzhen China
Dirección: 2515 siglo huiduhuixuan, no. 3078, camino medio de Shennan, calle de Huaqiangbei, distrito de Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 2 Horas
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ISO9001.pdf

Uso:
IPD80R1K4P7 es un transistor del MOSFET del canal N de uso general en los convertidores de gran eficacia de DC-DC y los usos de la fuente de alimentación. Puede actuar en la baja tensión y tiene resistencia baja y alta velocidad que cambia, haciéndola muy conveniente para el uso en usos de la baja tensión.
Conclusión:
IPD80R1K4P7 tiene las siguientes características:
Pérdidas bajas mismas de la transferencia y de la conducción;
Límite de alto voltaje, capaz del funcionamiento en el alto voltaje;
La alta velocidad que cambia permite los convertidores eficientes de DC-DC;
Estabilidad da alta temperatura, capaz del trabajo en ambientes des alta temperatura.
Parámetros:
Los parámetros dominantes de IPD80R1K4P7 son como sigue:
Corriente clasificada: 80A;
Voltaje clasificado: 40V;
Voltaje de fuente de alimentación máximo del dren: 55V;
Resistencia estática: el 1.4m Ω;
Capacitancia típica: 2000pF;
Gama de temperaturas de trabajo: -55 ° C DEL ° C~+175;
Tipo de empaquetado: TO-252 (DPAK).

Especificaciones técnicas del producto 
  
UE RoHSObediente con el 聽 de la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.)EAR99
Situación de la parteSin confirmar
HTS8541.29.00.95
SVHC
SVHC excede el umbral
AutomotrizNo
PPAPNo
Categoría de productoMOSFET del poder
ConfiguraciónSolo
Tecnología de procesoCoolMOS P7
Modo del canalAumento
Tipo de canalN
Número de elementos por microprocesador1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v)800
Voltaje de fuente de puerta máximo (v)20
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v)3,5
Dren continuo máximo (a) actual4
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA)1000
IDSS máximo (UA)1
Resistencia máxima de la fuente del dren (mOhm)1400@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta10@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta10
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF)250@500V
Disipación de poder máxima (mW)32000
Tiempo de caída típico (ns)20
Tiempo de subida típico (ns)8
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns)40
Tiempo de retraso de abertura típico (ns)10
Temperatura de funcionamiento mínima (掳 C)-55
Temperatura de funcionamiento máximo (掳 C)150
EmpaquetadoCinta y carrete
MontajeSoporte superficial
Altura del paquete2,41 (máximo)
Anchura del paquete6,22 (máximo)
Longitud del paquete6,73 (máximo)
El PWB cambió2
EtiquetaEtiqueta
Paquete del proveedorDPAK
Pin Count3
China Transistor de canal N de Mosfet con IPD80R1K4P7 TO-252 supplier

Transistor de canal N de Mosfet con IPD80R1K4P7 TO-252

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