El transistor IPD075N03LG de canal N Mosfet TO-252

Number modelo:IPD075N03LG
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:1PCS
Condiciones de pago:D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:57830pcs
Plazo de expedición:3
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección: 2515 siglo huiduhuixuan, no. 3078, camino medio de Shennan, calle de Huaqiangbei, distrito de Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 2 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

ISO9001.pdf (en inglés)

IPD075N03LG es un transistor MOSFET de canal N. Las siguientes son las aplicaciones, conclusiones y parámetros de este transistor:
Aplicación:
Interruptor de alimentación y convertidor CC-CC
Conducción de vehículos
Equipo electrónico para automóviles
Sistema de control de la automatización industrial
Conclusión:
Transistores MOSFET de canal N eficientes
Baja resistencia a la conducción y corriente de fuga
Capacidad de trabajo a altas temperaturas
Corriente de fuga inversa baja
Parámetros:
VDS (tensión máxima de la fuente de descarga): 30 V
ID (corriente de escape máxima): 75 A
Se aplicará el método siguiente:
Qg (carga total de la puerta): 180 nC
VGS (tensión máxima de la fuente de la puerta): ± 20 V
Ciss (capacidad de entrada): 3550 pF
Coss (capacidad de salida): 1120 pF
La capacidad de retroalimentación (Crss): 180 pF
Tj (temperatura de unión): -55 a 175 °C
Paquete: TO-252-3

Especificaciones técnicas del producto
La RoHS de la UEConforme a la exención
El precio de venta de la mercancíaEl EAR99
Estado de las partesActividad
El HTS8541.29.00.95
SVHC- ¿ Qué?
El SVHC excede el umbral- ¿ Qué?
Automóvil- No, no lo sé.
PPAP- No, no lo sé.
Categoría de productosMOSFET de potencia
ConfiguraciónNo casado
Tecnología de procesosOptiMOS
Modo de canalMejoramiento
Tipo de canalNo
Número de elementos por chip1
Voltado máximo de la fuente de drenaje (V)30
Voltado máximo de la fuente de la puerta (V)± 20
Ventilación de puerto de entrada (V)2.2
Corriente máxima de drenaje continuo (A)50
Resistencia máxima de la fuente de drenaje (mOhm)7.5@10V
Carga típica de la puerta @ Vgs (nC)8.7@4.5V18 @10V
Carga típica de la puerta @ 10V (nC)18
Capacidad de entrada típica @ Vds (pF)Las emisiones de gases de efecto invernadero
Disposición máxima de potencia (mW)47000
Tiempo de caída típico (ns)2.8
Tiempo de aumento típico (ns)3.6
Tiempo de retraso típico de apagado (ns)17
Tiempo (s) de retraso típico de encendido4.3
Temperatura mínima de funcionamiento (°C)- 55 años
Temperatura máxima de funcionamiento (°C)175
EmbalajeCintas y bobinas
El montajeMontura de la superficie
Altura del paquete2.3
Ancho del paquete6.22
Duración del paquete6.5
PCB cambiado2
- ¿ Qué?- ¿ Qué?
Nombre estándar del paqueteTO-252
Paquete para proveedoresDPAK
Número de pines3
Etiquetas de productos:
China El transistor IPD075N03LG de canal N Mosfet TO-252 supplier

El transistor IPD075N03LG de canal N Mosfet TO-252

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