2N7002T-7-F soporte SOT-523 de la superficie 150mW (TA) del canal N 60 V 115mA (TA)

Number modelo:2N7002T-7-F
Lugar del origen:LOS E.E.U.U.
Cantidad de orden mínima:3000
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:15000
Detalles de empaquetado:Bobina (TR)
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Shenzhen China
Dirección: 4E, no. 3, camino de Shenfeng, comunidad de Liuyue, calle de Henggang, distrito de Longgang, Shenzhen
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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2N7002T-7-F soporte SOT-523 de la superficie 150mW (TA) del canal N 60 V 115mA (TA)

Descripción y usos

Este MOSFET de la nueva generación se ha diseñado para minimizar la resistencia del onstate (el RDS (ENCENDIDO)) pero mantener el funcionamiento que cambia superior, haciéndolo ideal para los usos de la gestión del poder de la eficacia alta.

convertidores del  DC-DC

el  acciona funciones de gestión

sistemas con pilas del  y retransmisiones de estado sólido

conductores del : Retransmisiones, solenoides, lámparas, martillos, exhibiciones, memorias, transistores, etc.

 

Características

En-resistencia baja del 

voltaje bajo del umbral de la puerta del 

capacitancia entrada baja del 

velocidad que cambia rápida del 

salida baja de la entrada-salida del 

Ultra-pequeño paquete superficial del soporte del 

 totalmente sin plomo y completamente RoHS obediente

halógeno y antimonio del  libres. Dispositivo “verde”

 para los usos automotrices que requieren control específico del cambio

 

Datos mecánicos

caso del : SOT523

material del caso del : Plástico moldeado. Compuesto que moldea “verde”. Clasificación de la inflamabilidad de la UL que valora 94V-0

sensibilidad de humedad del : Llano 1 por J-STD-020

terminales del : Matte Tin Finish Annealed sobre la aleación 42 Leadframe (galjanoplastia sin plomo). Solderable por MIL-STD-202, método 208

conexiones terminales del : Vea el diagrama

peso del : 0,002 gramos (de aproximado)

 

especificación de 2N7002T-7-F

Categoría
Productos de semiconductor discretos
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Mfr
Diodos incorporados
Serie
-
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
115mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2V @ 250µA
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
50 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
150mW (TA)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-523
Paquete/caso
SOT-523

 

ORIGINAL

 

Nuestra compañía se asegura de que cada lote de productos venga de la fábrica original, y puede proporcionar etiquetas originales e informes profesionales de la agencia de prueba.

 

PRECIO

 

Proporcionamos una variedad de canales de la cita, y firmamos el contrato de la orden después de la negociación.

 

TRANSACCIÓN

 

Después de la comunicación y del acuerdo, le dirigiremos para arreglar el pago.

 

CICLO DE ENTREGA

 

La entrega en el mismo día, generalmente 5-12 días laborables, se puede retrasar levemente durante la epidemia, nosotros seguirá el proceso entero.

 

TRANSPORTE

 

Elegiremos el modo apropiado del transporte según su país.

 

EMPAQUETADO

 

Después de la comunicación con usted, elegiremos el método de empaquetado apropiado según el peso de las mercancías para asegurar la entrega segura de las mercancías.

China 2N7002T-7-F soporte SOT-523 de la superficie 150mW (TA) del canal N 60 V 115mA (TA) supplier

2N7002T-7-F soporte SOT-523 de la superficie 150mW (TA) del canal N 60 V 115mA (TA)

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