Soporte superficial 417mW (TA) del canal 60V 300mA (TA) de los transistores P de BSH201,215 NPN PNP
Number modelo:BSH201
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:3000 PC
Condiciones de pago:T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente:30000PCS
Plazo de expedición:Común
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
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Detalles del producto
BSH201 NPN PNP Transistores de canal P 60V 300mA (Ta) 417mW (Ta) Montado en la superficie
Transistores BSH201 MOS con modo de mejora del canal P
Los datos de referencia rápidos de los símbolos se pueden utilizar
para la configuración de los sistemas de control de velocidad.
DESCRIPCIÓN GENERAL El número de identificación SOT23
Canal P, modo de mejora, PIN DESCRIPCIÓN nivel lógico, transistor
de potencia de efecto de campo.Este dispositivo tiene un bajo
voltaje de umbral de 1 puerta y conmutación extremadamente rápida
lo que lo hace ideal para aplicaciones de 2 fuentes alimentadas por
batería e interfaz digital de alta velocidad. 3 desage
El BSH201 se suministra en el paquete de montaje de superficie
subminiatura SOT23.
| Atributos del producto | Seleccionar todos |
| Categorías | Productos discretos de semiconductores |
| Transistores - FET, MOSFET - Uno | |
| Fabricante | Nexperia EE.UU. Inc. |
| Serie | - |
| Embalaje | Cintas y bobinas (TR) |
| Estado de las partes | Actividad |
| Tipo de FET | Canal P |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de salida a la fuente (Vdss) | Las demás: |
| Corriente - Desage continuo (Id) @ 25°C | El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el siguiente: |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 4.5V y 10V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 160 mA, 10 V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | 1V @ 1mA (min) |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ± 20 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 70pF @ 48V |
| Característica del FET | - |
| Disposición de energía (máximo) | 417 mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Paquete de dispositivos del proveedor | Se trata de la siguiente: |
Soporte superficial 417mW (TA) del canal 60V 300mA (TA) de los transistores P de BSH201,215 NPN PNP
Carro de la investigación
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