MOSFET del canal N del módulo del diodo del tiristor del módulo de poder del Mosfet IXFN38N100Q2
Number modelo:IXFN38N100Q2
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:6000pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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IXFN38N100Q2
MOSFET del poder de HiPerFETTM
Avalancha clasificada, Qg bajo, Rg intrínseco bajo alto dV/dt, trr bajo del modo del aumento del canal N
VDSS = 1000 V
IDENTIFICACIÓN25 = 38 A
RDS (encendido) = 0,25 Ω
≤ 300 ns del trr
Características
• Proceso doble del metal para la resistencia baja de la puerta
• miniBLOC, con el aislamiento del nitruro de aluminio
• La transferencia inductiva Unclamped (UIS) valoró
• Inductancia baja del paquete
• Rectificador intrínseco rápido
Usos
• Convertidores de DC-DC
• fuentes del Cambiar-modo y de alimentación del resonante-modo
• Interruptores de DC
• Generadores de pulso
Ventajas
• Fácil montar
• Ahorros de espacio
• Densidad de poder más elevado
Grados máximos
| Símbolo | Condiciones de prueba | MÁXIMO. | UNIDAD |
|---|---|---|---|
| VDSS | TJ = 25°C a 150°C | 1000 | V |
| VDGR | TJ = 25°C a 150°C; RGS = 1 MΩ | 1000 | V |
| VGS | Continuo | ±30 | V |
| VGSM | Transeúnte | ±40 | V |
| Identificación25 | TC = 25°C | 38 | |
| IDM | TC = 25°C, anchura de pulso limitada por TJM | 152 | |
| IAR | TC = 25°C | 38 | |
| OÍDO | TC = 25°C | 60 | mJ |
| EAS | TC = 25°C | 5,0 | J |
| dv/dt | ES el ≤ IDM, ≤ 100 A/µs, ≤ VDSS de di/dt de VDD ≤ 150°C, RG de TJ = Ω 2 | 20 | V/ns |
| Paladio | TC = 25°C | 890 | W |
| TJ | -55… +150 | °C | |
| TJM | 150 | °C | |
| Tstg | -55… +150 | °C | |
| VISOL | 50/60 herzios, RMS, t = 1 minuto | 2500 | V |
| Md | Montaje del esfuerzo de torsión Esfuerzo de torsión de la conexión terminal | 1.5/13 1.5/13 | Nm/lb.in. Nm/lb.in. |
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| SN74HC00DR | 4211 | TI | 15+ | SOP14 |
| NDS9956A | 4215 | FAIRCHILD | 16+ | SOP8 |
| MC33202DR2G | 4227 | EN | 16+ | SOP8 |
| ICE2B265 | 4250 | 14+ | DIP-8 | |
| SS32-E3/57T | 4250 | VISHAY | 14+ | DO214 |
| SI3867 | 4258 | VISHAY | 14+ | SOT-163 |
| APM4953 | 4275 | APM | 16+ | SOP8 |
| LM1117MPX-5.0 | 4288 | NS | 16+ | SOT223 |
| 3224W-1-103E | 4300 | BOURNS | 13+ | SMD |
| TNY276GN | 4300 | PODER | 15+ | SOP-7 |
| MIC5235-1.8YM5 | 4300 | MICREL | 16+ | SOT23-5 |
| HCF4052BEY | 4399 | ST | 16+ | INMERSIÓN |
| M82C51A-2 | 4400 | OKI | 14+ | INMERSIÓN |
| MUR1620CTRG | 4400 | EN | 14+ | TO-220 |
| IRF7329 | 4412 | IR | 14+ | SOP-8 |
| HSMP-3816 | 4433 | AVAGO | 16+ | SOT153 |
| SMDJ54CA | 4440 | LITTELFUS | 16+ | SMD |
| GP1A51HR | 4444 | SOSTENIDO | 13+ | DIP-4 |
| P2804BDG | 4444 | NIKO | 15+ | TO252 |
| AP9962GH | 4450 | AP | 16+ | TO-252 |
| AD1955ARSZ | 4457 | ANUNCIO | 16+ | SSOP-28 |
| AMS1083CT-3.3 | 4470 | AMS | 14+ | TO-220 |
| 1N4747A | 4500 | ST | 14+ | DO-41 |
| FDB8447L | 4500 | FSC | 14+ | TO-263 |
| INA118P | 4500 | TI | 16+ | DIP-8 |
| IRFR9024NTRPBF | 4500 | IR | 16+ | TO-252 |
| NL17SZ06 | 4500 | EN | 13+ | SOT553 |
| Q6040K7 | 4500 | LITTELFUS | 15+ | TO-3P |
| STM8324 | 4500 | SAMHOP | 16+ | SOP8 |
| TDA2050 | 4500 | ST | 16+ | CREMALLERA |
MOSFET del canal N del módulo del diodo del tiristor del módulo de poder del Mosfet IXFN38N100Q2
Carro de la investigación
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