Módulo de poder elegante del diodo del tiristor del módulo de poder del Mosfet de FSBB30CH60F

Módulo de poder elegante del diodo del tiristor del módulo de poder del Mosfet de FSBB30CH60F

Características

• No.E209204 certificado UL (paquete de SPM27-EA)

• Resistencia termal muy baja debido a usar DBC

• Puente trifásico del inversor de 600V-30A IGBT incluyendo el control ICs para la conducción y la protección de la puerta

• Terminales negativos divididos del DC-vínculo para los usos de detección actuales del inversor

• fuente de alimentación Solo-puesta a tierra debido a HVIC incorporado

• Grado del aislamiento de 2500Vrms/min.

Usos

• CA 100V ~ impulsión trifásica del inversor 253V para las pequeñas impulsiones del motor de CA del poder

• Usos de los aparatos electrodomésticos como el aire acondicionado y la lavadora.

Descripción general

Es un módulo de poder elegante avanzado (SPMTM) que Fairchild tiene desarrollado recientemente y diseñada para proporcionar las impulsiones del motor de CA del rendimiento muy compacto y alto que apuntan principalmente el uso inversor-conducido de baja potencia como el aire acondicionado y la lavadora. Combina la protección y la impulsión de circuito optimizada hechas juego a IGBTs de pequeñas pérdidas. La confiabilidad de sistema es aumentada más a fondo por la protección integrada del cierre y del shortcircuit del debajo-voltaje. El HVIC incorporado de alta velocidad proporciona la capacidad de conducción de la puerta de la solo-fuente IGBT del acoplador óptico-menos que más lejos reducir el tamaño total del diseño de sistemas del inversor. Cada corriente de la fase del inversor puede ser por separado supervisado debido a los terminales negativos divididos de la C.C.

Funciones de poder integradas

• Inversor de 600V-30A IGBT para la conversión de poder trifásica de DC/AC (refiera por favor al cuadro 3)

Funciones de control integradas de la impulsión, de la protección y de sistema

• Para el alto-lado IGBTs del inversor:

Circuito de impulsión de la puerta, desplazamiento de alta velocidad aislado de alto voltaje del nivel

Protección (ULTRAVIOLETA) del debajo-voltaje del circuito de control

• Para el bajo-lado IGBTs del inversor:

El circuito de impulsión de la puerta, cortocircuita la protección (el SC)

Protección (ULTRAVIOLETA) del debajo-voltaje del circuito de fuente del control

• Señalización de la falta: Correspondiente a una falta ULTRAVIOLETA (fuente del Bajo-lado)

• Interfaz entrado: 3.3/5V CMOS/LSTTL compatible, entrada de disparador de Schmitt

Grados máximos absolutos (TJ = 25°C, salvo especificación de lo contrario)

Pieza del inversor

Nota:

1. El grado máximo de la temperatura de empalme de los microprocesadores del poder integrados dentro del SPM es 150°C (≤ de @TC 100°C). Sin embargo, para asegurar la operación segura del SPM, la temperatura de empalme media se debe limitar al ≤ _de TJ _(avenida) 125°C (≤ de @TC 100°C)

Pin Configuration

Pernos internos del circuito equivalente y de la entrada-salida

Oferta común (venta caliente)

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