Módulo de poder del mosfet IGBT del poder del st del módulo de poder del Mosfet de FGH40N60SMD
Number modelo:FGH40N60SMD
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:8500pcs
Plazo de expedición:1 día
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
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Detalles del producto
FGH40N60SMDF
600V, parada de campo 40A IGBT
Características
• Temperatura de empalme máxima: TJ =175℃
• Coeficiente positivo de Temperaure para el funcionamiento paralelo fácil
• Capacidad de gran intensidad
• Voltaje de saturación bajo: VCE (se sentó) =1.9V (tipo.) @ IC = 40A
• Alta impedancia de entrada
• Transferencia rápida
• Apriete la distribución del parámetro
• RoHS obediente
Usos
• Inversor solar, UPS, SMPS, PFC
• Calefacción de inducción
Descripción general
Usando tecnología nueva de la parada de campo IGBT, las nuevas series de Fairchild de parada de campo IGBTs ofrecen el funcionamiento óptimo para los usos solares del inversor, de UPS, de SMPS, de IH y de PFC donde están esenciales la conducción baja y las pérdidas que cambian.
Grados máximos absolutos
| Símbolo | Descripción | Grados | Unidades |
| VCES | Colector al voltaje del emisor | 600 | V |
| VGES | Puerta al voltaje del emisor | ± 20 | V |
| IC | Corriente de colector @ TC = 25℃ | 80 | |
| Corriente de colector @ TC = 100℃ | 40 | ||
| ICM (1) | Corriente de colector pulsada | 120 | |
| SI | Corriente delantera del diodo @ TC = 25℃ | 40 | |
| Corriente delantera del diodo @ TC = 100℃ | 20 | ||
| IFM (1) | Corriente delantera máxima pulsada del diodo | 120 | |
| Paladio | Disipación de poder máxima @ TC = 25℃ | 349 | W |
| Disipación de poder máxima @ TC = 100℃ | 174 | W | |
| TJ | Temperatura de empalme de funcionamiento | -55 a +175 | ℃ |
| Tstg | Gama de temperaturas de almacenamiento | -55 a +175 | ℃ |
| TL | Temporeros máximos de la ventaja. para los propósitos que sueldan, 1/8" del caso por 5 segundos | 300 | ℃ |
Notas: 1: Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| EL817B-F | 12000 | EL | 16+ | INMERSIÓN |
| EL817C-F | 12000 | EVERLIGHT | 16+ | INMERSIÓN |
| EL817S (A) (TA) - F | 68000 | EVERLIGHT | 12+ | SOP-4 |
| EM639165TS-6G | 7930 | ETRONTECH | 15+ | TSOP-54 |
| EM63A165TS-6G | 13467 | ETRONTECH | 14+ | TSOP-54 |
| EM78P459AKJ-G | 9386 | EMC | 15+ | DIP-24 |
| EMI2121MTTAG | 5294 | EN | 15+ | DFN |
| ENC28J60-I/SO | 7461 | MICROCHIP | 16+ | SOP-28 |
| EP1C3T144C8N | 3452 | ALTERA | 13+ | QFP144 |
| EP3C5F256C8N | 2848 | ALTERA | 15+ | BGA |
| EP3C80F780I7N | 283 | ALTERA | 16+ | BGA |
| EP9132 | 3575 | EXPLORE | 16+ | TQFP-80 |
| EPC1213LC-20 | 3527 | ALT | 03+ | PLCC20 |
| EPC1213PC8 | 8853 | ALTERA | 95+ | DIP-8 |
| EPC2LI20N | 2794 | ALTERA | 13+ | PLCC |
| EPM7032SLC44-10N | 2472 | ALTERA | 13+ | PLCC44 |
| EPM7064SLC44-10N | 2498 | ATLERA | 15+ | PLCC |
| EPM7128SQC100-10N | 1714 | ALTERA | 12+ | QFP |
| ERA-1SM+ | 3210 | MINI | 15+ | SOT-86 |
| ES1B-E3/61T | 18000 | VISHAY | 14+ | DO-214AC |
| ES2G-E3/52T | 12000 | VISHAY | 16+ | SMB |
| ES2J-E3/52T | 12000 | VISHAY | 13+ | DO-214AA |
| ES3J | 12000 | FSC | 15+ | SMC |
| ES56031S | 3498 | ES | 16+ | SOP-24 |
| ESAD92-02 | 6268 | FUIJ | 16+ | TO-3P |
| ESD112-B1-02EL E6327 | 23000 | 15+ | TSLP-2-20 | |
| ESD5Z5.0T1G | 9000 | EN | 13+ | SOD-523 |
| ESD5Z7.0T1G | 12000 | EN | 16+ | SOD-523 |
| ESDA6V1SC5 | 51000 | ST | 15+ | SOT23-5 |
| ESP-12E | 3991 | AI | 16+ | SMT |
Módulo de poder del mosfet IGBT del poder del st del módulo de poder del Mosfet de FGH40N60SMD
Carro de la investigación
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