Módulo de poder del mosfet IGBT del poder del st del módulo de poder del Mosfet de FGH40N60SMD

Number modelo:FGH40N60SMD
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:8500pcs
Plazo de expedición:1 día
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

FGH40N60SMDF

600V, parada de campo 40A IGBT


Características

• Temperatura de empalme máxima: TJ =175℃

• Coeficiente positivo de Temperaure para el funcionamiento paralelo fácil

• Capacidad de gran intensidad

• Voltaje de saturación bajo: VCE (se sentó) =1.9V (tipo.) @ IC = 40A

• Alta impedancia de entrada

• Transferencia rápida

• Apriete la distribución del parámetro

• RoHS obediente


Usos

• Inversor solar, UPS, SMPS, PFC

• Calefacción de inducción


Descripción general

Usando tecnología nueva de la parada de campo IGBT, las nuevas series de Fairchild de parada de campo IGBTs ofrecen el funcionamiento óptimo para los usos solares del inversor, de UPS, de SMPS, de IH y de PFC donde están esenciales la conducción baja y las pérdidas que cambian.


Grados máximos absolutos

SímboloDescripciónGradosUnidades
VCESColector al voltaje del emisor600V
VGESPuerta al voltaje del emisor± 20V
ICCorriente de colector @ TC = 25℃80
Corriente de colector @ TC = 100℃40
ICM (1)Corriente de colector pulsada120
SICorriente delantera del diodo @ TC = 25℃40
Corriente delantera del diodo @ TC = 100℃20
IFM (1)Corriente delantera máxima pulsada del diodo120
PaladioDisipación de poder máxima @ TC = 25℃349W
Disipación de poder máxima @ TC = 100℃174W
TJTemperatura de empalme de funcionamiento-55 a +175
TstgGama de temperaturas de almacenamiento-55 a +175
TL

Temporeros máximos de la ventaja. para los propósitos que sueldan,

1/8" del caso por 5 segundos

300

Notas: 1: Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.


Oferta común (venta caliente)

Número de parte.CantidadMarcaD/CPaquete
EL817B-F12000EL16+INMERSIÓN
EL817C-F12000EVERLIGHT16+INMERSIÓN
EL817S (A) (TA) - F68000EVERLIGHT12+SOP-4
EM639165TS-6G7930ETRONTECH15+TSOP-54
EM63A165TS-6G13467ETRONTECH14+TSOP-54
EM78P459AKJ-G9386EMC15+DIP-24
EMI2121MTTAG5294EN15+DFN
ENC28J60-I/SO7461MICROCHIP16+SOP-28
EP1C3T144C8N3452ALTERA13+QFP144
EP3C5F256C8N2848ALTERA15+BGA
EP3C80F780I7N283ALTERA16+BGA
EP91323575EXPLORE16+TQFP-80
EPC1213LC-203527ALT03+PLCC20
EPC1213PC88853ALTERA95+DIP-8
EPC2LI20N2794ALTERA13+PLCC
EPM7032SLC44-10N2472ALTERA13+PLCC44
EPM7064SLC44-10N2498ATLERA15+PLCC
EPM7128SQC100-10N1714ALTERA12+QFP
ERA-1SM+3210MINI15+SOT-86
ES1B-E3/61T18000VISHAY14+DO-214AC
ES2G-E3/52T12000VISHAY16+SMB
ES2J-E3/52T12000VISHAY13+DO-214AA
ES3J12000FSC15+SMC
ES56031S3498ES16+SOP-24
ESAD92-026268FUIJ16+TO-3P
ESD112-B1-02EL E63272300015+TSLP-2-20
ESD5Z5.0T1G9000EN13+SOD-523
ESD5Z7.0T1G12000EN16+SOD-523
ESDA6V1SC551000ST15+SOT23-5
ESP-12E3991AI16+SMT

China Módulo de poder del mosfet IGBT del poder del st del módulo de poder del Mosfet de FGH40N60SMD supplier

Módulo de poder del mosfet IGBT del poder del st del módulo de poder del Mosfet de FGH40N60SMD

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