Chip de circuito integrado de doble inversor 74LVC2GU04GV,125 de 1,65 V a 5,5 V
Number modelo:74LVC2GU04GV -125
Lugar del origen:Tailandia
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:290PCS
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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CARACTERÍSTICAS
• Amplio rango de tensión de alimentación de 1,65 V a 5,5 V
• Entrada/salida tolerante a 5 V para interfaz con lógica de 5 V
• Alta inmunidad al ruido
• Protección ESD:
– HBM EIA/JESD22-A114-B supera los 2000 V
– MM EIA/JESD22-A115-A supera los 200 V.
• Unidad de salida de ±24 mA (VCC = 3,0 V)
• CMOS de bajo consumo de energía
• El rendimiento de enclavamiento supera los 250 mA
• Múltiples opciones de paquetes
• Especificado de −40 °C a +85 °C y de −40 °C a +125 °C.
DESCRIPCIÓN
El 74LVC2GU04 es un dispositivo CMOS Si-gate de alto rendimiento, bajo consumo y bajo voltaje, superior a las familias TTL compatibles con CMOS más avanzadas.
La entrada se puede controlar desde dispositivos de 3,3 V o 5 V.Estas características permiten el uso de estos dispositivos en un entorno mixto de 3,3 V y 5 V.
El 74LVC2GU04 proporciona dos inversores.Cada inversor es una sola etapa con salida sin búfer.
| SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | TÍPICO | UNIDAD |
| tPHL/tPLH | retardo de propagación entrada nA a salida nY | CCV = 1,8 V;CL = 30pF;RL = 1kΩ | 2.3 | ns |
| CCV = 2,5 V;CL = 30pF;RL = 500 Ω | 1.8 | ns | ||
| CCV = 2,7 V;CL = 50 pF;RL = 500 Ω | 2.6 | ns | ||
| CCV = 3,3 V;CL = 50 pF;RL = 500 Ω | 2.3 | ns | ||
| CI | capacitancia de entrada | 5 | pF | |
| CPD | capacitancia de disipación de potencia por puerta | CCV = 3,3 V;notas 1 y 2 | pF |
Chip de circuito integrado de doble inversor 74LVC2GU04GV,125 de 1,65 V a 5,5 V
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