LMC662CM Chips IC programables CMOS Amplificador operativo dual

Amplificador operacional dual LMC662 CMOS

Descripción general

El amplificador operacional dual LMC662 CMOS es ideal para funcionar con una sola fuente.Funciona de +5 V a +15 V y cuenta con oscilación de salida de riel a riel además de un rango de modo común de entrada que incluye tierra.Las limitaciones de rendimiento que han afectado a los amplificadores CMOS en el pasado no son un problema con este diseño.VOS de entrada, deriva y ruido de banda ancha, así como la ganancia de voltaje en cargas realistas (2 kΩ y 600 Ω) son todos iguales o mejores que los equivalentes bipolares ampliamente aceptados.

Este chip está construido con el avanzado proceso CMOS de puerta de silicio de doble poli de National.Consulte la hoja de datos del LMC660 para conocer un amplificador operacional Quad CMOS con estas mismas características.

Características

• Oscilación de salida de riel a riel
• Especificado para cargas de 2 kΩ y 600 Ω
• Ganancia de alto voltaje: 126 dB
• Bajo voltaje de compensación de entrada: 3 mV
• Deriva de tensión de compensación baja: 1,3 µV/˚C

• Corriente de polarización de entrada ultrabaja: 2 fA
• El rango de modo común de entrada incluye V⁻
• Rango de operación de suministro de +5V a +15V
• ISS = 400 µA/amplificador;independiente de V+

• Baja distorsión: 0,01 % a 10 kHz
• Velocidad de respuesta: 1,1 V/µs
• Disponible en rango de temperatura extendido (−40˚C a +125˚C);ideal para aplicaciones automotrices
• Disponible para una especificación de dibujo militar estándar

Aplicaciones

• Búfer o preamplificador de alta impedancia
• Convertidor de corriente a voltaje de precisión
• integrador a largo plazo
• Circuito de muestreo y retención
• Detector de picos
• Instrumentación médica
• Controles industriales
• Sensores automotrices

Calificaciones Máximas Absolutas (Nota 3)

Si se requieren dispositivos especificados para el sector militar/aeroespacial, comuníquese con la Oficina Nacional de Ventas/Distribuidores de Semiconductores para conocer la disponibilidad y las especificaciones.

Voltaje de entrada diferencial ± Voltaje de suministro

Tensión de alimentación (V⁺− V⁻) 16V

Cortocircuito de salida a V⁺(Nota 12)

Cortocircuito de salida a V⁻(Nota 1)

Temperatura de plomo (soldadura, 10 seg.) 260˚C

Temperatura de almacenamiento.Rango −65˚C a +150˚C

Voltaje en los pines de entrada/salida (V⁺) +0,3 V, (V⁻) −0,3 V

Corriente en el pin de salida ±18 mA

Corriente en el pin de entrada ±5 mA

Corriente en el pin de la fuente de alimentación 35 mA

Disipación de potencia (nota 2)

Temperatura de unión 150˚C

Tolerancia ESD (Nota 8) 1000V

Valores Operativos (Nota 3)

Rango de temperatura

LMC662AMJ/883, LMC662AMD −55˚C ≤ TJ ≤ +125˚C

LMC662AI −40˚C ≤ TJ ≤ +85˚C

LMC662C 0˚C ≤ TJ ≤ +70˚C

LMC662E −40˚C ≤ TJ ≤ +125˚C

Rango de tensión de alimentación 4,75 V a 15,5 V

Disipación de potencia (nota 10)

Resistencia Térmica (θJA) (Nota 11)

DIP de cerámica de 8 pines 100˚C/W

DIP moldeado de 8 pines 101˚C/W

SO de 8 pines 165˚C/W

DIP de cerámica soldada lateral de 8 pines 100˚C/W

Nota 1: Se aplica tanto a la operación de suministro único como de suministro dividido.La operación continua de cortocircuito a temperatura ambiente elevada y/o múltiples cortocircuitos de amplificadores operacionales pueden dar como resultado que se exceda la temperatura de unión máxima permitida de 150 ˚C.Las corrientes de salida superiores a ±30 mA a largo plazo pueden afectar negativamente a la fiabilidad.

Nota 2: La disipación de potencia máxima es una función de TJ(max), θJA y TA.La disipación de potencia máxima permitida a cualquier temperatura ambiente es PD = (TJ(max)–TA)/θJA.

Nota 3: Las clasificaciones máximas absolutas indican los límites más allá de los cuales pueden ocurrir daños al dispositivo.Las clasificaciones operativas indican las condiciones para las cuales el dispositivo debe funcionar, pero no garantizan límites de rendimiento específicos.Para conocer las especificaciones garantizadas y las condiciones de prueba, consulte las Características eléctricas.Las especificaciones garantizadas se aplican solo a las condiciones de prueba enumeradas.

Nota 4: Los valores típicos representan la norma paramétrica más probable.Los límites están garantizados por pruebas o correlación.

Nota 5: V+ = 15V, VCM = 7,5V y RL conectado a 7,5V.Para pruebas de fuente, 7,5 V ≤ VO ≤ 11,5 V.Para pruebas de hundimiento, 2,5 V ≤ VO ≤ 7,5 V.

Nota 6: V+ = 15V.Conectado como seguidor de voltaje con entrada de paso de 10 V.El número especificado es el más lento de las velocidades de giro positivas y negativas.

Nota 7: Entrada referida.V+ = 15V y RL = 10 kΩ conectado a V+/2.Cada amplificador excitado a su vez con 1 kHz para producir VO = 13 VPP.

Nota 8: Modelo de cuerpo humano, 1,5 kΩ en serie con 100 pF.

Nota 9: Una especificación de prueba eléctrica RETS militar está disponible a pedido.En el momento de la impresión, la especificación LMC662AMJ/883 RETS cumplía plenamente con los límites en negrita de esta columna.El LMC662AMJ/883 también se puede adquirir con una especificación de dibujo militar estándar.

Nota 10: Para operar a temperaturas elevadas, el dispositivo debe reducirse en función de la resistencia térmica θJA con PD = (TJ–TA)/θJA.

Nota 11: Todos los números se aplican a los paquetes soldados directamente en una placa de circuito impreso.

Nota 12: No conecte la salida a V+ cuando V+ sea superior a 13 V o la confiabilidad puede verse afectada negativamente

Diagrama de conexión

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