MOSFETs del poder del canal N del transistor del Mosfet del poder de los transistores del mosfet del poder más elevado RFP70N06
Number modelo:RFP70N06
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:8300pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalles del producto
RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06SM
70A, 60V, 0,014 ohmios, MOSFETs del poder del canal N
Éstos son MOSFETs del poder del canal N manufacturados usando el proceso de MegaFET. Este proceso, que utiliza los tamaños de característica que se acercan a los de los circuitos de LSI, da la utilización óptima del silicio, dando por resultado funcionamiento excepcional. Fueron diseñados para el uso en usos tales como recortes reguladores, convertidores que cambiaban, conductores del motor y conductores de la retransmisión. Estos transistores se pueden actuar directamente desde los circuitos integrados.
Tipo antes de desarrollo TA49007.
Características
• 70A, 60V
• rDS (encendido) = 0.014Ω
• Modelo compensado temperatura de PSPICE®
• Corriente máxima contra curva de la anchura de pulso
• Curva del grado de UIS (solo pulso)
• temperatura de funcionamiento 175oC
• Literatura relacionada
- TB334 “instrucciones para los componentes superficiales del soporte que sueldan a los tableros de PC”
Grados máximos absolutos TC = 25℃, salvo especificación de lo contrario
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | RFG70N06, RFP70N06 RF1S70N06SM | UNIDADES |
| Drene al voltaje de la fuente (nota 1) | VDSS | 60 | V |
| Drene para bloquear voltaje (RGS = 20kΩ) (nota 1) | VDGR | 60 | V |
| Corriente continua del dren | Identificación | 70 | |
| Corriente pulsada del dren (nota 3) | IDM | Refiera a la curva de la corriente de pico | |
| Puerta al voltaje de la fuente | VGS | ±20 | V |
| Solo grado de la avalancha del pulso | EAS | Refiera a la curva de UIS | |
| Disipación de poder | Paladio | 150 | W |
| Factor que reduce la capacidad normal linear | 1,0 | W/℃ | |
| Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento | TJ, TSTG | -55 a 175 | ℃ |
Temperatura máxima para soldar Ventajas en los 0.063in (1.6m m) del caso para 10s El cuerpo del paquete para 10s, considera Techbrief 334 | TL Tpkg | 300 260 | ℃ ℃ |
PRECAUCIÓN: Las tensiones sobre ésas enumeradas en “grados máximos absolutos” pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es un único grado de la tensión y la operación del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos indicados en las secciones operativas de esta especificación no se implica.
NOTA: 1. TJ = 25oC a 150℃
Símbolo
Empaquetado
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Q'ty | MFG | D/C | Paquete |
| LA4440 | 3620 | SANYO | 14+ | SIP-14 |
| LT1512CS8#PBF | 5755 | LINEAR | 15+ | SOP-8 |
| LM75CIMMX-3 | 6880 | NSC | 14+ | MSOP-8 |
| LTC2954CTS8-2#TRMPBF | 6896 | LT | 10+ | BORRACHÍN |
| NTE4151PT1G | 38000 | EN | 16+ | SOT-523 |
| CXD2480R | 1277 | SONY | 15+ | QFP |
| A8498SLJTR-T | 3500 | ALLEGRO | 12+ | SOP-8 |
| A4950ELJTR-T | 1000 | ALLEGRO | 13+ | SOP-8 |
| LMX2335LTMX | 2297 | NSC | 14+ | TSSOP-16 |
| NCP1034DR2G | 9200 | EN | 16+ | COMPENSACIÓN |
| A3932SLDTR-T | 2042 | ALLEGRO | 15+ | TSSOP38 |
| MM3Z4V7ST1G | 25000 | EN | 16+ | SOD-323 |
| MCP1825S-3302E/DB | 5134 | MICROCHIP | 16+ | SOT-223 |
| MMBZ5257BLT1G | 20000 | EN | 16+ | SOT-23 |
| MBR120ESFT1G | 38000 | EN | 16+ | CÉSPED |
| L4931ABD33 | 3851 | ST | 14+ | SOP8 |
| NTE4153NT1G | 30000 | EN | 16+ | SOT-523 |
| MPX5100DP | 6099 | FREESCALE | 15+ | SORBO |
| LMH1980MM/NOPB | 1632 | TI | 15+ | VSSOP-10 |
| PIC18F26K20-I/SS | 4498 | MICROCHIP | 13+ | SSOP |
| LTC3450EUD | 6714 | LINEAR | 15+ | DFN |
MOSFETs del poder del canal N del transistor del Mosfet del poder de los transistores del mosfet del poder más elevado RFP70N06
Carro de la investigación
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