Conductor lateral bajo de Chip High Voltage High And del circuito integrado electrónico del circuito integrado de L6386D
Number modelo:L6386D
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:8300pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Conductor lateral bajo de Chip High Voltage High And del circuito integrado electrónico del circuito integrado de L6386D
- CARRIL DE ALTO VOLTAJE HASTA 600V
- INMUNIDAD de dV/dt + - 50 V/nsec en GAMA DE TEMPERATURAS COMPLETA
- CAPACIDAD ACTUAL DEL CONDUCTOR: FUENTE de 400 mA, FREGADERO de 650 mA
- La TRANSFERENCIA MIDE EL TIEMPO de 50/30 nanosegundo RISE/FALL CON LA CARGA 1nF
- ENTRADAS DE DISPARADOR DE SCHMITT DE CMOS/TTL CON HISTÉRESIS Y TIRAR HACIA ABAJO
- EL VOLTAJE INFERIOR SE CIERRA HACIA FUERA EN UNA SECCIÓN DE CONDUCCIÓN MÁS BAJA Y SUPERIOR
- DIODO INTEGRADO DEL TIRANTE
- SALIDAS EN FASE CON LAS ENTRADAS
DESCRIPCIÓN
El L6386 es un dispositivo de alto voltaje, manufacturado con la tecnología “OFF-LINE” del BCD. Tiene una estructura del conductor que permita conducir a la independiente se refirió al MOS o a IGBT del poder del canal. La sección (flotante) superior se permite trabajar con el carril del voltaje hasta 600V. Las entradas de la lógica son CMOS/TTL compatibles para la facilidad de la interconexión con los dispositivos que controlan.
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| Vout | Voltaje de salida | -3 a Vboot - 18 | V |
| Vcc | Voltaje de fuente | - 0,3 a +18 | V |
| Vboot | Voltaje de fuente flotante | -1 a 618 | V |
| Vhvg | Voltaje de salida superior de la puerta | - 1 a Vboot | V |
| Vlvg | Un voltaje de salida más bajo de la puerta | -0,3 a Vcc +0,3 | V |
| VI | Voltaje de entrada de la lógica | -0,3 a Vcc +0,3 | V |
| Vdiag | Voltaje forzado del dren abierto | -0,3 a Vcc +0,3 | V |
| Vcin | Voltaje entrado del comparador | -0,3 a Vcc +0,3 | V |
| dVout/dt | Tarifa de ciénaga permitida de la salida | 50 | V/ns |
| Ptot | Disipación de poder total (Tj = °C) 85 | 750 | mW |
| Tj | Temperatura de empalme | 150 | °C |
| Ts | Temperatura de almacenamiento | -50 a 150 | °C |
Nota: La inmunidad del ESD para los pernos 12, 13 y 14 se garantiza hasta 900V (el modelo del cuerpo humano)
BLOQUE DIAGRAMA
CONEXIÓN DE PIN
Conductor lateral bajo de Chip High Voltage High And del circuito integrado electrónico del circuito integrado de L6386D
Carro de la investigación
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