Ordenador Chip Board del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N
Number modelo:FDS6676AS
Lugar del origen:Malasia
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T por adelantado u otros
Capacidad de la fuente:1000PCS
Detalles de empaquetado:Éntreme en contacto con por favor para los detalles
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Ordenador Chip Board del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N
acción original de los componentes electrónicos de PowerTrench FDS6676AS del canal N 30V
Descripción general
El FDS6676AS se diseña para substituir un solos MOSFET SO-8 y diodo de Schottky en síncrono
DC: Fuentes de corriente continua. Este MOSFET 30V se diseña para maximizar eficacia de conversión de poder, proporcionando un RDS bajo (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. El FDS6676AS incluye un diodo integrado de Schottky usando la tecnología monolítica de SyncFET de Fairchild.
Usos
• Convertidor de DC/DC
• Cuaderno lateral bajo
Características
• A 14,5, 30 mΩ del max= 6,0 del V. RDS (ENCENDIDO) @ VGS = 10 mΩ del max= 7,25 de V RDS (ENCENDIDO) @ VGS = 4,5 V
• Incluye el diodo del cuerpo de SyncFET Schottky
• Carga baja de la puerta (45nC típicos)
• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO) y la transferencia rápida
• Poder más elevado y capacidad de dirección actual
Grados máximos absolutos TA=25o C a menos que se indicare en forma diferente
| Símbolo | Parámetro | Grado | Unidad |
| VDSS | Voltaje de la Dren-fuente | 30 | V |
| VGSS | Voltaje de la Puerta-fuente | ±20 | V |
| Identificación | Drene actual – continuo (nota 1a) – Pulsado | 14,5 | |
| 50 | |||
| Paladio | Disipación de poder para la sola operación (nota 1a) (Nota 1b) (Nota 1c) | 2,5 | W |
| 1,5 | |||
| 1 | |||
| TJ, TSTG | Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento | – 55 a +150 | °C |
Características termales
| RθJA | Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 1a) | 50 | W/°C |
| RθJC | Resistencia termal, Empalme-a-caso (nota 1) | 25 |
Marca del paquete e información el ordenar
| Marcado del dispositivo | Dispositivo | Tamaño del carrete | Anchura de la cinta | Cantidad |
| FDS6676AS | FDS6676AS | 13" | 12M M | 2500 unidades |
| FDS6676AS | FDS6676AS_NL | 13" | 12M M | 2500 unidades |
Ordenador Chip Board del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N
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