74AUP1G157GW, 125 chip CI del multiplexor de la entrada del poder 2 de Chips Low de la placa de circuito

Number modelo:74AUP1G157GW
Lugar del origen:Malasia
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:5000PCS
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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Detalles del producto
74AUP1G157
Multiplexor de baja potencia de 2 entradas

1. Descripción general


El 74AUP1G157 es un de alto rendimiento, de baja potencia, de baja tensión, dispositivo de la Si-puerta Cmos, superior a la mayoría de las familias compatibles avanzadas del Cmos TTL. La acción del disparador de Schmitt en todas las entradas hace el circuito tolerante a una subida de la entrada y a tiempos de caída más lentos a través de la gama entera VCC a partir de 0,8 V a 3,6 V.


Este dispositivo asegura un consumo de energía estático y dinámico muy bajo a través de la gama entera VCC a partir de 0,8 V a 3,6 V. Este dispositivo se especifica completamente para los usos parciales del poder-abajo usando IOFF.


El conjunto de circuitos de IOFF inhabilita la salida, previniendo la expulsión perjudicial actual a través del dispositivo cuando se acciona abajo.


El 74AUP1G157 es un solo multiplexor de 2 entradas que los datos selectos a partir de dos entradas de datos (I0 e I1) bajo control de una entrada selecta de los datos comunes (s).


El estado de la entrada selecta de los datos comunes determina el registro particular del cual los datos vienen. La salida (y) presenta los datos seleccionados en la forma (no-invertida) verdadera.


2. Características


■Gama ancha del voltaje de fuente a partir de 0,8 V a 3,6 V

■Alta inmunidad de ruido

■Cumple con estándares de JEDEC:

◆JESD8-12 (0,8 V 1,3 V) al ◆ JESD8-11 (0,9 V a V) 1,65

◆JESD8-7 (1,2 V V) 1,95 al ◆ JESD8-5 (1,8 V a 2,7 V)

◆JESD8-B (2,7 V a 3,6 V)


■Protección del ESD:

◆La clase 3A de HBM JESD22-A114-D excede 4000 V

◆El milímetro JESD22-A115-A excede 200 V

◆CDM JESD22-C101-C excede 1000 V


■Consumo de energía estático bajo; ICC = 0,9 µA (máximo)

■El funcionamiento del cierre-para arriba excede 100 mA por clase de JESD 78 II

■Las entradas aceptan voltajes hasta 3,6 V

■De poco ruido llegue más allá y aterrizaje corto < 10="">

■El conjunto de circuitos de IOFF proporciona la operación parcial del modo del poder-abajo

■Opciones múltiples del paquete

■Especificado del °C −40 al °C +85 y del °C −40 al °C +125


Una parte de la lista común


CASQUILLO 0402 100NF 16V X7R CL05B104KO5NNNCSAMSUNGAC4J02CSMD0402
DIODO SMCJ5.0A-E3/57TVISHAY1613/GDESMC
INDUTOR 0805 220R BLM21PG221SN1LMURATAAM6127681SMD0805
RES 0R el 5%
RC0805JR-070RL
YAGEO1612SMD0805
RES 0402 0R el 5%
RC0402JR-070RL
YAGEO1612SMD0402
RES 0402 100K el 5% RC0402JR-07100KLYAGEO1614SMD0402
RES 2512 0R22 el 1%
RL2512FK-070R22L
YAGEO1614SMD2512
TRANSPORTE NDT452APFSCDH42ADSOT-223
FUSIVEL 30R250UULITTELFUSEI16/03/25/30/250U/P03LDIP-2
DIODO MBR20200CTGENNSD618TO-220
CI TL431CDBZRTIT3CUSOT-23
Transporte. BC817-251412/6BWSOT-23
C.I LM35DZTI620K9TO-92
CASQUILLO 100NF 100V el 5% CL21B104JCCNNNCSAMSUNGAC3L01FSMD0805
CASQUILLO 100NF 50V el 5% CL21B104JBCNNNCSAMSUNGAC1N08KSMD0805
RES 0805 3K3 el 1%
RC0805FR-073K3L
YAGEO1615SMD0805
DIODO ES1D-E3-61TVISHAY1423/EDSMA
C.I DAC 5571IDBVTTID571SOT23-6
C.I AME1085ACDT3AME36TO-263
C.I LPC1788FBD208,5511549LQFP-208
C.I MC34063EBD-TRSTE9812SOP-8
C.I 74HC244DB, 1181418SSOP-20
DIODO TPD4E001DBVRTINFYFSOT23-6
C.I BD9781HFP-TRROHM807/808TO-263
RELE G8P-1A4P-DC12OMRON29X5C1INMERSIÓN
OPTOACOPLADOR VOM617A-3TVISHAYV442SOP-4
Transporte. FDS6699SFSCPG9AFSOP-8
CI M24C04-WMN6TPSTK314SSOP-8
CI LP2951-50DRTIKY5150/61MADTTSOP-8
DIODO VESD05-02V-G-08MEPCVISHAYVCSOD523
China 74AUP1G157GW, 125 chip CI del multiplexor de la entrada del poder 2 de Chips Low de la placa de circuito supplier

74AUP1G157GW, 125 chip CI del multiplexor de la entrada del poder 2 de Chips Low de la placa de circuito

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