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IRS21091 PbF
CONDUCTOR DEL SEMIPUENTE
Características
· Canal de flotación diseñado para la operación del tirante
· Completamente - operativo a +600 V
· Tolerante al voltaje transitorio negativo, dV/dt inmune
· Gama de la fuente de la impulsión de la puerta a partir de 10 V a 20 V
· Cierre del Undervoltage para ambos canales
· 3,3 lógica de la entrada de V, de 5 V, y de 15 V compatible
· lógica de la prevención de la Cruz-conducción
· Retraso de propagación hecho juego para ambos canales
· salida del Alto-lado en fase con EN la entrada
· Tierra de la lógica y del poder de +/- compensación 5 V
· Deadtime interno de 500 ns,
y hasta 5 µs programables con un resistor externo del RDT
· Un conductor más bajo de la puerta de di/dt para una mejor inmunidad de ruido
· La función dual DT/SD entró apaga ambos canales
· RoHS obediente
Descripción
El IRS21091 es un MOSFET de alto voltaje, de alta velocidad del poder y el conductor de IGBT con alto dependiente y el bajo-lado referido hacen salir los canales. HVIC propietarios y trabar tecnologías inmunes del Cmos permiten la construcción monolítica construida sólidamente. La entrada de la lógica es compatible con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica de 3,3 V. Los conductores de la salida ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz-conducción mínima del conductor. El canal de flotación se puede utilizar para conducir un MOSFET o un IGBT del poder del canal N en la configuración del alto-lado que actúa hasta 600 V.
Conexión típica