Componentes superficiales BAT54C de la electrónica de los diodos del Ic del diodo de barrera de Schottky del soporte
Number modelo:BAT54C
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:3000pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:40000pcs
Plazo de expedición:1 día
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Componentes superficiales BAT54C de la electrónica de los diodos del Ic del diodo de barrera de Schottky del soporte
DIODO DE BARRERA SUPERFICIAL DE SCHOTTKY DEL SOPORTE DE BAT54C
¿Características?
?. Voltaje de abertura bajo
¿.? ¿Transferencia rápida?
Guardia Ring del empalme de .PN para el transeúnte
y protección del ESD
Datos mecánicos
Caso: ¿SOT-23, plástico moldeado?
¿Material del caso - clasificación 94V-0 del grado de la inflamabilidad de la UL?
Sensibilidad de humedad: Llano 1 por J-STD-020A
Terminales: ¿Solderable por MIL-STD-202, método 208?
Polaridad: ¿Vea los diagramas abajo?
Peso: ¿0,008 gramos (aproximadamente)?
Código de marcado: ¿Vea los diagramas abajo?
Información el ordenar: Véase la página 3
Grados máximos @ TA = ℃ 25 salvo especificación de lo contrario
| Característica | Símbolo | Valor | Unidad |
| Voltaje reverso repetidor máximo que trabaja voltaje de bloqueo máximo de DC del voltaje reverso | VRRM VRWM VR | 30 | V |
| Actual continuo delantero (nota 2) | SI | 200 | mA |
| Corriente delantera máxima repetidor | IFRM | 300 | mA |
| Sobretensión delantera @ t < 1=""> | IFSM | 600 | mA |
| Disipación de poder (nota 2) | Paladio | 200 | Mw |
| Resistencia termal, empalme al aire ambiente (nota 2) | RJA | 500 | ℃/W |
| Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento | Tj, TSTG | -65 a +125 | ℃ |
Características eléctricas
@ TA = ℃ 25 salvo especificación de lo contrario
| Característica | Símbolo | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad | Condición de prueba |
| Voltaje de avería reverso | V (BR) R | 30 | - | - | V | ¿IRS = 100? |
| Voltaje delantero | VF | - | - | 240 320 400 500 1000 | milivoltio | SI = 0.1mA SI = 1mA SI = 10mA SI = 30mA SI = 100mA |
| Corriente reversa de la salida | Ir | - | - | 2,0 | UA | VR = 25V |
| Capacitancia total | Cr | - | - | 10 | PF | VR = 1.0V, f = 1.0MHz |
| Tiempo de recuperación reversa | Trr | - | - | 5,0 | nS | SI = 10mA a través IR = 10mA a ¿IR = 1.0mA RL = 100? |
Notas: 1. prueba del pulso de la duración corta usada para minimizar efecto de la uno mismo-calefacción.
2. Pieza montada en el tablero FR-4 con la disposición recomendada del cojín, que se puede encontrar en nuestra página web
Componentes superficiales BAT54C de la electrónica de los diodos del Ic del diodo de barrera de Schottky del soporte
Carro de la investigación
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