Eficacia alta del diodo de rectificador de poder de ES1J para el soporte superficial
Number modelo:ES1J-E3-61T
Lugar del origen:Malasia
Cantidad de orden mínima:500pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:60000PCS
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Eficacia alta del diodo de rectificador de poder de ES1J para el soporte superficial
ES1F - rectificadores rápidos de ES1J
Características
• Para los usos superficiales del soporte.
• Empalme apaciguado de cristal.
• Paquete del perfil bajo.
• Selección y lugar fáciles.
• Alivio de tensión incorporado.
• Tiempos de recuperación ultrarrápidos para la eficacia alta
Grados máximos absolutos * TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente
| Grado | Símbolo | Valor | Unidad |
| Voltaje reverso repetidor máximo | VRRM | 600 | V |
Disipación de poder máximo | Ppx | 1,47 | W |
| Ms delantero máximo sin repetición sola Mitad-Seno-onda (método de la sobretensión 8,3 de JEDEC) | IFSM | 30 | |
Corriente delantera rectificada media | SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 1,0 | |
Temperatura de empalme | TJ | 150 | ℃ |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | -55 a 150 | ℃ |
Estos grados son los valores límites sobre los cuales la utilidad de cualquier dispositivo de semiconductor puede por empeorado.
Eficacia alta del diodo de rectificador de poder de ES1J para el soporte superficial
Carro de la investigación
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