Placa de circuito Chips Electronic Component de los diodos Zener del poder del silicio 1N5358B
Number modelo:SST25VF016B-50-4I-S2AF
Lugar del origen:original
Cantidad de orden mínima:5 PCS
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:10000PCS/DAY
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Diodos del Silicio-poder-Zener 1N5358B
Diodos del Silicio-poder-Zener (tecnología no planar)
Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden)
Disipación de poder máxima Maximale Verlustleistung Z-voltaje
nominal Nominale Z-Spannung
Estuche de plástico Kunststoffgehäuse Peso aproximadamente Gewicht
CA El material plástico tiene clasificación 94V-0 de la UL
Klassifiziert de Gehäusematerial UL94V-0 Empaquetado estándar
grabado en paquete de la munición Gegurtet estándar de Lieferform
en Munición-paquete
La tolerancia estándar del voltaje de Zener es el ±5%). Otras
tolerancias del voltaje y voltajes más altos de Zener a petición.
Mueren los ist de Zener-Spannung del der de Toleranz en el der el
±5% estándar-Ausfhrung. Höhere de Andere Toleranzen oder
Auf Anfrage de Arbeitsspannungen.
Disipación de poder Verlustleistung | Ptot | 5 W 1) |
Disipación de poder máximo no repetidor, t < 10="" ms=""> Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10="" ms=""> | PZSM | 80 W |
Temperatura de empalme de funcionamiento – Sperrschichttemperatur Temperatura de almacenamiento – Lagerungstemperatur | Tj TS | -50… +150°C -50… +175°C |
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft | RthA | < 25="" K=""> |
Empalme de la resistencia termal al terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss | RthL | <8 K=""> |
Placa de circuito Chips Electronic Component de los diodos Zener del poder del silicio 1N5358B
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