Transferencia eléctrica del transistor del Mosfet del poder de IC ic del interruptor off-line RDN100N20 (200V, 10A)

Transferencia (200V, 10A)

RDN100N20

Características

1) En-resistencia baja.

2) Capacitancia baja de la entrada.

3) Resistencia excelente a dañar de electricidad estática.

Uso

Transferencia

Estructura

Canal N del silicio

FET DEL MOS

Grados máximos absolutos (Ta=25°C)

≤ 10µs, ≤ el 1% de ∗1 picovatio del ciclo de trabajo

∗2 L 4.5mH, VDD=50V, RG=25Ω, 1Pulse, Tch=25°C

Dimensiones externas (unidad: milímetro)

Circuito equivalente

el diodo de la protección del ∗A se incluye entre la puerta y los terminales de origen para proteger el diodo contra electricidad estática cuando el producto es funcionando. Utilice el circuito de protección cuando se exceden los voltajes fijos.

Oferta común (venta caliente)

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