¿Transistor dual del Mosfet del poder del mosfet del poder del mosfet del poder del smd de IRFB31N20DPBF???????? MOSFET del poder de HEXFET®
Number modelo:IRFB31N20DPBF
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:8100pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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¿HEXFET? MOSFET del poder
| VDSS | RDS (encendido) máximo | Identificación |
| 200V | 0.082Ω | 31A |
Usos
- ¿? ¿Convertidores de alta frecuencia de DC-DC?
- Sin plomo
Ventajas
- ¿? ¿Puerta baja a drenar para reducir el cambiar de pérdidas?
- ¿Capacitancia completamente caracterizada incluyendo COSS eficaz para simplificar diseño, (véase un 1001)?
- Voltaje y corriente completamente caracterizados de avalancha
Grados máximos absolutos
| Parámetro | Máximo. | Unidad | |
| Identificación @ TC = 25°C | Corriente continua del dren, VGS @ 10V | 31 | |
| Identificación @ TC = 100°C | Corriente continua del dren, VGS @ 10V | 21 | |
| IDM | Pulsado drene el actual | 124 | |
| Paladio @TA = 25°C | Disipación de poder | 3,1 | W |
| Paladio @TC = 25°C | Disipación de poder | 200 | W |
| Factor que reduce la capacidad normal linear | 1,3 | W/°C | |
| VGS | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ± 30 | V |
| dv/dt | máximo de la recuperación dv/dt del diodo | 2,1 | V/ns |
TJ TSTG | Empalme de funcionamiento y Gama de temperaturas de almacenamiento | -55 a + 175 | °C |
| Temperatura que suelda, por 10 segundos | 300 (1.6m m de caso) | °C | |
| Montando el esfuerzo de torsión, 6-32 o el srew M3 | 10 lbf•en (1.1N•m) |
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Q'ty | MFG | D/C | Paquete |
| MAX1636EAP-T | 6200 | MÁXIMA | 10+ | SSOP |
| MAC8M | 9873 | EN | 10+ | TO-220 |
| MJD117-1G | 8000 | EN | 14+ | TO-263 |
| MAX1683EUK+T | 6350 | MÁXIMA | 16+ | BORRACHÍN |
| L3G4200D | 2729 | ST | 15+ | LGA16 |
| PTN78020AAH | 400 | TI | 15+ | INMERSIÓN |
| MAX4214EUK+T | 5968 | MÁXIMA | 10+ | BORRACHÍN |
| MX25L12873FM2I-10G | 4500 | MXIC | 15+ | COMPENSACIÓN |
| ATTINY10-TSHR | 3000 | ATMEL | 15+ | SOT23 |
| PTN78060WAD | 980 | TI | 15+ | INMERSIÓN |
| PIC18F2520-I/SO | 4598 | MICROCHIP | 15+ | COMPENSACIÓN |
| MC33269DR2-5.0 | 4554 | EN | 15+ | COMPENSACIÓN |
| MCP3421AOT-E/CH | 5302 | MICROCHIP | 16+ | BORRACHÍN |
| MMBFJ108 | 10000 | FAIRCHILD | 16+ | SOT-23 |
| PIC18F8520-I/PT | 4273 | MICROCHIP | 14+ | TQFP |
| PIC18F4550-I/PT | 4438 | MICROCHIP | 14+ | QFP |
| MC68HC908QY4CPE | 3832 | FREESCALE | 14+ | INMERSIÓN |
| ZTX751 | 16060 | ZETEX | 11+ | TO-92 |
| MC9S12C64MFAE | 4732 | FREESCALE | 14+ | QFP |
| ZTX651 | 29000 | ZETEX | 11+ | TO-92 |
| LTC1650AIS | 2802 | LINEAR | 11+ | COMPENSACIÓN |
¿Transistor dual del Mosfet del poder del mosfet del poder del mosfet del poder del smd de IRFB31N20DPBF???????? MOSFET del poder de HEXFET®
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