transistor de transferencia de fines generales del transistor PNP del Mosfet del poder del amplificador de 2N3906 PNP
Number modelo:2N3906
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:9600pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Transistor de transferencia de PNP 2N3906
CARACTERÍSTICAS
• De poca intensidad (máximo 200 mA)
• Baja tensión (máximo 40 V).
USOS
• Transferencia de alta velocidad en usos industriales.
DESCRIPCIÓN
Transistor de transferencia de PNP en un TO-92; Paquete plástico
SOT54. Complemento de NPN: 2N3904.
FIJACIÓN
| PIN | DESCRIPCIÓN |
| 1 | colector |
| 2 | base |
| 3 | emisor |
VALORES LÍMITES
De acuerdo con el sistema de calificación máximo absoluto (IEC
134).
| SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | MÍNIMO. | MÁXIMO. | UNIDAD |
| VCBO | voltaje de la colector-base | emisor abierto | − | −40 | V |
| VCEO | voltaje del colector-emisor | base abierta | − | −40 | V |
| VEBO | voltaje de la emisor-base | colector abierto | − | −6 | V |
| IC | corriente de colector (DC) | − | −200 | mA | |
| ICM | corriente de colector máxima | − | −300 | mA | |
| IBM | corriente baja máxima | − | −100 | mA | |
| Ptot | disipación de poder total | °C del ≤ 25 de Tamb | − | 500 | mW |
| Tstg | temperatura de almacenamiento | −65 | +150 | °C | |
| Tj | temperatura de empalme | − | 150 | °C | |
| Tamb | temperatura ambiente de funcionamiento | −65 | +150 | °C |
Aumento actual de Fig.2 DC; valores típicos.
Circuito de la prueba Fig.3 por épocas que cambian
ESQUEMA DEL PAQUETE
(A través del agujero) paquete plomado de terminación única
plástico; 3 ventajas SOT54
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| IS62C1024-45T | 580 | ISSI | 10+ | TSSOP |
| HM9110 | 1429 | HMC | 10+ | DIP18 |
| TG43-1406NTR | 5000 | HALO | 10+ | SSOP48 |
| MC74HC30N | 549 | NS | 10+ | INMERSIÓN |
| AM29F010-120JC | 711 | AMD | 10+ | PLCC32 |
| TMPZ84C30AP-6 | 2420 | TOSHIBA | 10+ | DIP-28 |
| TDA1675A | 810 | ST | 10+ | CREMALLERA |
| STK7360 | 1008 | TDK | 10+ | SIP-14 |
| 24LC512-I/P | 3750 | MICROCHIP | 16+ | DIP8 |
| BFR91A | 5000 | VISHAY | 14+ | TO-50 |
| LE88266DLC | 5800 | LEGERITY | 14+ | QFP80 |
| NJU7391AV-TE1-#ZZZB | 7000 | JRC | 14+ | SSOP32 |
| BTA06-800BW | 7660 | ST | 16+ | TO-220 |
| 25LC256-I/SN | 9600 | MICROCHI | 16+ | SOP-8 |
| MT8816AE | 5000 | ZARLINK | 13+ | DIP-40 |
| ULN2003APWR | 5000 | TI | 15+ | TSSOP16 |
| XC5VSX95T-2FFG1136I | 100 | XILINX | 16+ | BGA |
| LRPS-2-1 | 2000 | MINI | 16+ | SMD |
| BC847C | 4000 | EN | 14+ | SOT-23 |
| MUR120RLG | 2000 | EN | 14+ | DO-41 |
| BC548B | 5000 | PH | 14+ | TO-92 |
| LTC2440CGN | 5000 | LT | 16+ | SSOP16 |
| MB4S | 5000 | SEPT | 16+ | SMD4 |
| MUR160RLG | 5000 | EN | 13+ | DO-41 |
| BC817-25 | 6000 | 15+ | SO23 | |
| ES2J | 5000 | VISHAY | 16+ | SMB |
| ATMEGA1281-16AU | 3500 | ATMEL | 16+ | QFP |
| LTC1263CS8#PBF | 2500 | LINEAR | 14+ | SOIC-8 |
| MB6S | 7000 | VISHAY | 14+ | SMD-4 |
| BZX84C3V0LT1G | 8000 | EN | 14+ | SOT-23 |
transistor de transferencia de fines generales del transistor PNP del Mosfet del poder del amplificador de 2N3906 PNP
Carro de la investigación
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