Diodo de transferencia de alta velocidad MMBD4148, transferencia rápida del diodo Zener superficial del soporte
Number modelo:MMBD4148
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:9200pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Diodo de transferencia de alta velocidad Mmbd4148, transferencia rápida del diodo Zener superficial del soporte
VOLTAJE 75 voltios ACCIONE 350 mWatts PAQUETE SOT-23
CARACTERÍSTICAS
• Velocidad que cambia rápida.
• Paquete superficial del soporte adecuado idealmente para la inserción automática
• Eléctricamente idéntico a JEDEC estándar
• Alta conductancia
DATOS MECÁNICOS
Caso: SOT-23, plástico
Terminales: Solderable por MIL-STD-202, método 208
Aproximadamente peso: 0,008 gramos
Marca: A2, A3
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Grados en la temperatura ambiente 25℃ salvo especificación de lo contrario.
Monofásico, media onda, 60 cargas de los herzios, resistentes o inductivas.
Para la carga capacitiva, reduzca la capacidad normal de actual por el 20%.
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | MMBD4148 | MMBD4448 | UNIDADES |
| Voltaje reverso | VR | 75 | 75 | V |
| Voltaje reverso máximo | VRM | 100 | 100 | V |
| Rectificación actual (media), de media-onda rectificada con la carga resistente y herzios de f >=50 | IO | 150 | 150 | mA |
| Sobretensión delantera máxima, sola media onda sinusoidal 8.3ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC) | IFSM | 2,0 | 4,0 | |
| La disipación de poder reduce la capacidad normal sobre 25℃ | PTOT | 350 | 350 | mW |
Voltaje delantero máximo @ IF= A los 5m @ IF= A | VF | - 1,0 | 0,72 1,0 | V |
| Corriente máxima del revés de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TJ= 25℃ | IR | 2,5 | 2,5 | µA |
| Capacitancia de empalme típica (Notes1) | CJ | 4,0 | 4,0 | PF |
| Recuperación reversa máxima (Notes2) | TRR | 4,0 | 4,0 | ns |
| Resistencia termal máxima | RθJA | 357 | ℃/W | |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | TJ | -55 A +125 | ℃ | |
NOTA:
1. CJ en VR=0, f=1MHZ
2.From IF=10mA a IR=1mA, VR=6Volts, RL=100Ω
CLASIFICACIÓN y CURVAS CARACTERÍSTICAS
DIBUJO DE ESQUEMA
SOT-23
Diodo de transferencia de alta velocidad MMBD4148, transferencia rápida del diodo Zener superficial del soporte
Carro de la investigación
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