Transferencia rápida de la En-resistencia HEXFET del poder del MOSFET del P-canal de la huella ultrabaja del MOSFET SOT-23 IRLML6402TRPBF
Number modelo:IRLML6402TRPBF
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Capacidad de la fuente:5200PCS
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalles del producto
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Detalles del producto
¿?????? ¿HEXFET? MOSFET T del poder
* En-resistencia ultrabaja
* MOSFET del P-canal
* huella SOT-23
* perfil bajo (<1>
* disponible en cinta y carrete
¿* transferencia rápida?????
Estos MOSFETs del P-canal del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - onresistance bajo por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET® son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en la gestión de la batería y de la carga.
Un leadframe grande termalmente aumentado del cojín se ha
incorporado en el paquete estándar SOT-23 para producir un MOSFET
del poder de HEXFET con la huella más pequeña de la industria. Este
paquete, doblado el Micro3™, es ideal para los usos donde está el
espacio impreso de la placa de circuito en un premio. El perfil
bajo (<1>
| Parámetro | Máximo. | Unidades | |
| VDS | Voltaje de la fuente del dren | -20 | V |
| Identificación @ TA = 25°C | Corriente continua del dren, VGS @ -4.5V | -3,7 | |
| Identificación @ TA= 70°C | Corriente continua del dren, VGS @ -4.5V | -2,2 | |
| IDM | ¿Corriente pulsada del dren? | -22 | |
| Paladio @TA = 25°C | Disipación de poder | 1,3 | W |
| Paladio @TA = 70°C | Disipación de poder | 0,8 | |
| Factor que reduce la capacidad normal linear | 0,01 | W/°C | |
| EAS | ¿Sola energía de la avalancha del pulso? | 11 | mJ |
| VGS | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ± 12 | V |
Transferencia rápida de la En-resistencia HEXFET del poder del MOSFET del P-canal de la huella ultrabaja del MOSFET SOT-23 IRLML6402TRPBF
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