8 un transistor suave ultrarrápido HFA08TB60 del Mosfet del poder del diodo de la recuperación de HEXFRED

CARACTERÍSTICAS

• Recuperación ultrarrápida

• Recuperación Ultrasoft

• IRRM bajo mismo

• Qrr bajo mismo

• Especificado en las condiciones de funcionamiento

• Diseñado y calificado para el nivel industrial

VENTAJAS

• IRF y EMI reducidas

• Apagón reducido en diodo y transistor de transferencia

• Una operación más alta de la frecuencia

• Rechazo reducido

• Las piezas reducidas cuentan

DESCRIPCIÓN

HFA08TB60 es un diodo ultrarrápido avanzado de la recuperación. Empleando el más último de la construcción epitaxial y de técnicas de proceso avanzadas ofrece una combinación magnífica de características que resultado en el funcionamiento que es sin igual por cualquier rectificador previamente disponible. Con grados básicos de 600 V y 8 una corriente continua, el HFA08TB60 está especialmente bien adaptada para el uso como el diodo del compañero para IGBTs y los MOSFETs. Además de tiempo de recuperación ultrarrápido, la línea de productos de HEXFRED® ofrece extremadamente - escasos valores de la corriente máxima de la recuperación (IRRM) y no exhibe ninguna tendencia a la “broche-apagado” durante la porción de la TB de recuperación. Las características de HEXFRED combinan para ofrecer a diseñadores un rectificador con pérdidas que cambian más de poco ruido y perceptiblemente más bajas en el diodo y el transistor que cambia. Estas ventajas de HEXFRED pueden ayudar a reducir perceptiblemente el rechazo, la cuenta componente y tamaños del disipador de calor. El HEXFRED HFA08TB60 se adapta idealmente para los usos en fuentes de alimentación y los sistemas de conversión de poder (tales como inversores), las impulsiones del motor, y muchos otros usos similares donde de alta velocidad, eficacia alta es necesario.

Diodo suave ultrarrápido de la recuperación, 8 A

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