La salida doble de los transistores del transistor del Mosfet del poder de NPN traba 3-State 74AHCT595PW, 118
Number modelo:74AHCT595
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:50pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:9000 piezas
Plazo de expedición:1 día
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
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Detalles del producto
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Detalles del producto
1. Descripción general
El 74AHC595; 74AHCT595 son dispositivos de alta velocidad de la Si-puerta Cmos y son perno
compatible con Schottky de baja potencia TTL (LSTTL). Se especifican de acuerdo con
No. estándar 7A de JEDEC.
El 74AHC595; 74AHCT595 son 8 registros de cambio seriales de la etapa con un registro de almacenamiento y
salidas 3-state. Los registros tienen relojes separados.
Los datos se desplazan en las transiciones positivo-que van de la entrada de reloj del registro de cambio (SHCP).
Los datos en cada registro se transfieren al registro de almacenamiento en positivo-ir
transición de la entrada de reloj del registro de almacenamiento (STCP). Si ambos relojes están conectados juntos,
el registro de cambio será siempre un impulso de reloj delante del registro de almacenamiento.
El registro de cambio tiene una entrada serial (DS) y una salida estándar serial (Q7S) para conectar en cascada.
También se proporciona el reset asincrónico (PUNTO BAJO activo) para las 8 etapas del registro de cambio.
el registro de almacenamiento tiene 8 3 salidas paralelas del conductor del autobús del estado. Datos en el registro de almacenamiento
aparece en la salida siempre que la salida permita la entrada (OE) sea BAJA
2. Características
■Retrasos de propagación equilibrados
■Todas las entradas tienen acción del Schmitt-disparador
■Las entradas aceptan voltajes más arriba de VCC
■Niveles de introducción de datos:
◆El 74AHC595 actúa con los niveles de introducción de datos del Cmos
◆El 74AHCT595 actúa con los niveles de introducción de datos de TTL
■Protección del ESD:
◆HBM JESD22-A114E excede 2000 V
◆El milímetro JESD22-A115-A excede 200 V
◆CDM JESD22-C101C excede 1000 V
■Opciones múltiples del paquete
■Especificado del °C −40 al °C +85 y del °C −40 al °C +125
3. Usos
■conversión de datos Serial-a-paralela
■Registro que se sostiene teledirigido
4. Información el ordenar
| Tipo número | Paquete | |||
| Gama de temperaturas | Nombre | Descripción | Versión | |
| 74AHC595 | ||||
| 74AHC595D | °C −40 al °C +125 | SO16 | pequeño paquete plástico del esquema; 16 ventajas; cuerpo anchura 3,9 milímetros | SOT109-1 |
| 74AHC595PW | °C −40 al °C +125 | TSSOP16 | pequeño paquete del esquema del encogimiento fino plástico; 16 ventajas; anchura del cuerpo 4,4 milímetros | SOT403-1 |
| 74AHC595BQ | °C −40 al °C +125 | DHVQFN16 | la termal compatible en línea dual plástica aumentó el paquete plano del patio muy fino; ningunas ventajas; 16 terminales; × 3,5 ×0.85mm del cuerpo 2,5 | SOT763-1 |
5. Diagrama funcional
La salida doble de los transistores del transistor del Mosfet del poder de NPN traba 3-State 74AHCT595PW, 118
Carro de la investigación
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