Transistores de poder planares epitaxiales del silicio de PNP/de NPN 2SC5707 para la transferencia de gran intensidad

Number modelo:2SC5707
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:9500
Plazo de expedición:1 día
Contacta

Add to Cart

Miembro activo
Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Transistores de poder planares epitaxiales del silicio de PNP/de NPN 2SC5707 para la transferencia de gran intensidad


Usos

• Convertidor de DC/de DC, conductores de la retransmisión, conductores de la lámpara, conductores del motor, flash


Características

• Adopción de los procesos de FBET y de MBIT.

• Capacitancia actual grande.

• Voltaje de saturación bajo del colector-a-emisor.

• Transferencia de alta velocidad.

• Alta disipación de poder permisible.


Especificaciones (): 2SA2040

Grados máximos absolutos en Ta=25°C

ParámetroSímboloCondicionesGradosUnidad
Voltaje de la Colector-a-baseVCBO--(--50) 100V
Voltaje del Colector-a-emisorVCES--(--50) 100V
Voltaje del Colector-a-emisorVCEO--(--) 50V
Voltaje de la Emisor-a-baseVEBO--(--) 6V
Corriente de colectorIC--(--) 8
Corriente de colector (pulso)ICP--(--) 11
Corriente bajaIB--(--) 2
Disipación del colectorPC

--

Tc=25°C

1,0

15

W

W

Temperatura de empalmeTj--150°C
Temperatura de almacenamientoTstg----55 a +150°C

Características eléctricas en Ta=25°C

ParámetroSímboloCondicionesmínimo.Tipo.máximo.unidad
Corriente de atajo de colectorICBOVCB = (--) 40V, IE =0A----(--) 0,1µA
Corriente del atajo del emisorIEBOVEB = (--) 4V, IC =0A----(--) 0,1µA
Aumento actual de DChFEVCE = (--) 2V, IC = (--) 500mA200--560--
Producto del Aumento-ancho de bandapieVCE = (--) 10V, IC = (--) 500mA--(290) 330--Megaciclo
Capacitancia de salidaMazorcaVCB = (--) 10V, f=1MHz--(50) 28--PF
Colector-a-emisor Voltaje de saturación

VCE (se sentó) 1

VCE (se sentó) 2

IC = (--) 3.5A, IB = (--) 175mA

IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA

--

--

(--230) 160

(--240) 110

(--390) 240

(--400) 170

milivoltio

milivoltio

Base--Emitterr A la saturación VoltajeVBE (se sentó)IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA--(--) 0,83(--) 1,2V
Voltaje de avería de la Colector-a-baseV (BR) CBOIC = (--) 10µA, IE =0A(--50) 100----V
Voltaje de avería del Colector-a-emisorV (BR) CESIC = (--) 100µA, RBE =0Ω(--50) 100----V
Voltaje de avería del Colector-a-emisorCEO DE V (BR)IC = (--) 1mA, =∞ de RBE(--) 50----V
Voltaje de avería de la Emisor-a-baseV (BR) EBOIE = (--) 10µA, IC =0A(--) 6----V
Tiempo de aberturatoneladaSee especificó el circuito de la prueba.--(40) 30--ns
Tiempo de almacenamientotstgSee especificó el circuito de la prueba.--(225) 420--ns
Tiempo de caídatfSee especificó el circuito de la prueba.--25--ns

Dimensiones del paquete Dimensiones del paquete

unidad: milímetro unidad: milímetro

7518-003 7003-003


Circuito de la prueba del tiempo que cambia


China Transistores de poder planares epitaxiales del silicio de PNP/de NPN 2SC5707 para la transferencia de gran intensidad supplier

Transistores de poder planares epitaxiales del silicio de PNP/de NPN 2SC5707 para la transferencia de gran intensidad

Carro de la investigación 0