Circuito integrado Chip QuasiResonant Flyback Switching Regulator del circuito integrado del transistor STR-W6756

Number modelo:STRW6756
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:8500pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Recortes reguladores STR-W6756

Recorte regulador QuasiResonant del tiempo de retorno off-line de Universal-Input/140 W


El STR-W6756 es un regulador cuasi-resonante diseñó específicamente satisfacer los requisitos para la integración y la confiabilidad crecientes en fuentes de alimentación del interruptor-modo. Incorpora un circuito primario del control y de impulsión con un MOSFET avalancha-clasificado del poder. El regulador exhibe solamente ruido de alta frecuencia de bajo nivel de la EMI debido a la transferencia suave del MOSFET cerca de la tierra (punto inferior). Una función del parte-salto minimiza un aumento de la frecuencia operativa durante cargas ligeras para mejorar eficacia de sistema sobre la gama entera de la carga.

Cubriendo el rango de potencia de debajo 240 vatios para una entrada de 230 VAC, o 140 vatios para una entrada universal (85 a 264 VAC), este dispositivo se puede utilizar en una gama de usos, de jugadores del DVD y del VCR a los adaptadores de corriente alterna para los teléfonos móviles y las cámaras digitales. Una función auto-espera, que internamente es accionada detectando a tiempo, reduce el consumo de energía en la carga ligera. Un modo espera externamente accionado reduce la energía de entrada más lejos. Las protecciones múltiples, incluyendo el MOSFET avalancha-energía-garantizado, proporcionan la alta confiabilidad del diseño de sistemas.

la limitación actual del Ciclo-por-ciclo, el cierre del undervoltage con histéresis, y la protección de la sobretensión protegen la fuente de alimentación durante las condiciones normales de la sobrecarga y de falta. La protección de la sobretensión está trabada después de un retraso corto. El cierre puede ser reajustó completando un ciclo la fuente de la entrada. La corriente de lanzamiento baja y un modo espera de baja potencia seleccionado del circuito secundario termina una habitación completa de características. El STR-W6756 se proporciona en un TO-220-style completamente moldeado flangemounted, poder más elevado, paquete plástico aislado.


CARACTERÍSTICAS Y VENTAJAS

El MOSFET Avalancha-clasificado rugoso de 650 V simplificó la absorción de la oleada el ningún reducir la capacidad normal de VDSS requerido

■0,73 Ω rDS máximo (encendido)

■Dos modos operativos por la transferencia automática: Modo Cuasi-resonante para el modo de explosión de la operación normal para la operación espera o las cargas ligeras

■Energía entrada espera estallada automática o manualmente accionada <0>

■Corriente de funcionamiento baja (tipo de 6 mA)

■Operación estallada estable de la función del Auto-prejuicio sin la generación de interferencia

■Circuito interno del Apagado-contador de tiempo

■Impulsión incorporada del Constante-voltaje

■Protecciones múltiples: Protección contra sobrecarga de la protección de la sobreintensidad de corriente del Pulso-por-pulso con la recuperación auto que traba cierre del Undervoltage de la protección de la sobretensión con histéresis

■RoHS obediente


GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS en TA = +25°C

Voltaje de fuente del control, VCC…. 35 V

Voltaje de la Dren-fuente, VDSS…… 650 V

Corriente de la transferencia del dren, identificación…. 15 A*

Corriente máxima de la transferencia del dren,

IDM…………………. 15 A

Energía de la avalancha del Solo-pulso,

EAS………………. 400 mJ

Gama del voltaje de OCP/BD,

VOCP………… – 1,5 V a +5 V

El FB entró la corriente, IFB……. 10 mA

Gama del voltaje del FB, VFP – 0,5 V a +9 V

Disipación de poder del paquete, paladio

control (VCC × ICC (ENCENDIDO)) …… 0,8 W

MOSFET (IDENTIFICACIÓN DEL × DE VDSS)…. Vea el gráfico

Temporeros del canal del MOSFET., TJ. +150°C

Temporeros internos del marco., TF…. +115°C

Gama de temperaturas de funcionamiento,

TA………. -20°C al † de +115°C

Gama de temperaturas de almacenamiento,

TS………… -40°C a +125°C


* drene la corriente que cambia es limitado por temperatura y área de funcionamiento seguro.

† Para la disponibilidad de las piezas que cumplen los requisitos de -40°C, representante de ventas allegro del contacto.


BLOQUE DIAGRAMA FUNCIONAL


DIMENSIONES del PAQUETE en milímetros


Peso del producto: aproximadamente 2,3 G.

Esfuerzo de torsión recomendado del hardware de montaje: 0,588 ~ 0,785 nanómetros, 6 ~ × cm de 8 kgf.

Grasa recomendada del silicio: Dow Corning SC102, Toshiba YG6260, Shin-Etsu G746, o equivalente.


Oferta común (venta caliente)

Número de parte.Q'tyMFGD/CPaquete
MAX3221ECAE+T10100MÁXIMA16+SSOP
MIC2954-03WS10000MICREL16+SOT-223
MT4LC1M16E5TG-57359MICRÓN10+TSOP
LMR62014XMF2843TI15+SOT-23-5
MB85RC64PNF-G-JNERE113287FUJITSU16+COMPENSACIÓN
LM3409MY2864NSC14+MSOP-10
MX25L512MC-12G10000MXIC13+COMPENSACIÓN
M52653308OKI10+QFP
PCF7991AT/10811278016+COMPENSACIÓN
M48T35AV-10PC13555ST16+INMERSIÓN
BFS17900015+SOT23
MAX708TESA+6577MÁXIMA16+COMPENSACIÓN
LTC2050CS5#TRPBF2995LINEAR16+BORRACHÍN
MIC811RUY10000MICREL14+SOT-143
LM393MX10000NSC14+SOP-8
ATTINY44A-MU2000ATMEL12+QFN-20
LM339MX6252NSC15+SOP-14
A29040BL-70F500AMIC10+PLCC32
LY62256SL-70LL4855LYONTEK15+COMPENSACIÓN
PIC32MX695F512L-80I/PF2000MICROCHIP14+TQFP-100
218-0755111300AMD12+BGA

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