El módulo del mosfet del poder MRF9030GNR1 acciona los TRANSISTORES de EFECTO de CAMPO del PODER del RF del transistor del Mosfet
Number modelo:MRF9030
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:7800pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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La línea del MOSFET del submicron del RF
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DEL PODER DEL RF
MOSFETs laterales del Aumento-modo del canal N
945 megaciclos, 30 W, 26 MOSFETs DE BANDA ANCHA del PODER del RF del CANAL N del LATERAL de V
Diseñado para los usos comerciales e industriales de banda ancha con frecuencias hasta 1,0 gigahertz. La alta ganancia y el funcionamiento de banda ancha de estos dispositivos los hacen ideales para la grande-señal, usos del amplificador de la común-fuente en el equipo de la estación base de 26 voltios.
• Dos típicos Tone Performance en 945 megaciclos, 26 voltios
De potencia de salida — 30 vatios de PEP
Aumento del poder — DB 19
Eficacia — 41,5%
IMD — – dBc 32,5
• Protección integrada del ESD
• Diseñado para la llanura máxima de la fase del aumento y de la inserción
• Capaz de manejar el 10:1 VSWR, @ 26 VDC, 945 megaciclos, 30 vatios de CW de potencia de salida
• Estabilidad termal excelente
• Caracterizado con parámetros equivalentes de la impedancia de la Grande-señal de la serie
• En cinta y carrete. Sufijo R1 = 500 unidades por 32 milímetros, carrete de 13 pulgadas.
GRADOS MÁXIMOS
| Grado | Símbolo | Valor | Unidad |
| Voltaje de la Dren-fuente | VDSS | 68 | VDC |
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGS | – 0,5, +15 | VDC |
Disipación total del dispositivo @ TC = 25°C MRF9030R1 Reduzca la capacidad normal sobre 25°C | Paladio | 92 0,53 | Vatios W/°C |
Disipación total del dispositivo @ TC = 25°C MRF9030SR1 Reduzca la capacidad normal sobre 25°C | Paladio | 117 0,67 | Vatios W/°C |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | – 65 a +200 | °C |
| Temperatura de empalme de funcionamiento | TJ | 200 | °C |
DIMENSIONES DEL PAQUETE
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Q'ty | MFG | D/C | Paquete |
| BFU710F | 15000 | 15+ | SOT-343 | |
| PIC16F526-I/SL | 5193 | MICROCHIP | 16+ | COMPENSACIÓN |
| LM810M3X-4.63 | 10000 | NSC | 15+ | SOT-23-3 |
| M95020-WMN6TP | 10000 | ST | 16+ | COMPENSACIÓN |
| M93S46-WMN6 | 4686 | ST | 10+ | COMPENSACIÓN |
| MCT61 | 10000 | FSC | 16+ | DIP-8 |
| MAX809LEUR+T | 10000 | MÁXIMA | 16+ | BORRACHÍN |
| 52271-2079 | 3653 | MOLEX | 15+ | conector |
| ZVP3306FTA | 9000 | ZETEX | 15+ | SOT23 |
| MBR10100G | 15361 | EN | 16+ | TO-220 |
| NTR2101PT1G | 38000 | EN | 16+ | SOT-23 |
| MBRD640CTT4G | 17191 | EN | 16+ | TO-252 |
| NTR4501NT1G | 38000 | EN | 15+ | SOT-23 |
| LM8272MMX | 1743 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
| NDT014 | 10000 | FAIRCHILD | 14+ | SOT-223 |
| LM5007MM | 1545 | NSC | 14+ | MSOP-8 |
| NRF24L01+ | 3840 | NÓRDICO | 10+ | QFN |
| MI1210K600R-10 | 30000 | ADMINISTRADOR | 16+ | SMD |
| A3144E | 25000 | ALLEGRO | 13+ | TO-92 |
| MP3V5004DP | 5784 | FREESCALE | 13+ | COMPENSACIÓN |
El módulo del mosfet del poder MRF9030GNR1 acciona los TRANSISTORES de EFECTO de CAMPO del PODER del RF del transistor del Mosfet
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