El VOLTAJE del transistor del Mosfet del poder de MLP1N06CLG AFIANZÓ el mosfe LIMITADOR ACTUAL del poder con abrazadera del rf de los transistores del mosfet del poder más elevado del MOSFET

Number modelo:MLP1N06CLG
Lugar del origen:original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:5200PCS
Plazo de expedición:1 día
Contacta

Add to Cart

Miembro activo
Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Internamente afianzado con abrazadera, MOSFET del poder del nivel de la lógica del canal N de Current Limited


Estos dispositivos de SMARTDISCRETES ofrecen la limitación actual para la protección del cortocircuito, una abrazadera integral de la puerta-a-fuente para la protección del ESD y la abrazadera del puerta-a-dren para la protección de la sobretensión. No se requiere ninguna resistencia de serie adicional de la puerta cuando la interconexión a la salida de un MCU, pero a un resistor de la desconexión de la puerta de 40 kΩ se recomienda para evitar una condición flotante de la puerta.


Las abrazaderas internas de la puerta-a-fuente y del puerta-a-dren permiten que los dispositivos sean aplicados sin el uso de los componentes transitorios externos de la supresión. Puerta-a la abrazadera de la fuente protege la entrada del MOSFET contra tensiones de voltaje electrostáticas de la puerta hasta 2,0 kilovoltios. La abrazadera del puerta-a-dren protege el MOSFET escurre las tensiones de la avalancha del dren que ocurren con las cargas inductivas. Este diseño único proporciona la fijación con abrazadera del voltaje que es esencialmente independiente de la temperatura de funcionamiento.


• La abrazadera compensada temperatura del Puerta-a-dren limita la tensión de voltaje aplicada al dispositivo y protege la carga contra la sobretensión

• Protección integrada del diodo del ESD

• La transferencia controlada minimiza la IRF

• El voltaje bajo del umbral permite cargas de interconexión del poder a los microprocesadores


GRADOS MÁXIMOS

GradoSímboloValorUnidad
Voltaje de la Dren-a-fuenteVDSSAfianzado con abrazaderaVDC

Voltaje de la Dren-a-puerta

(RGS = 1,0 MΩ)

VDGRAfianzado con abrazaderaVDC

Voltaje de la Puerta-a-fuente

— Continuo

VGS±10VDC
Drene actual — Corriente continua del dren — Solo pulso

Identificación

IDM

1,8 Uno mismo-limitadosADC
Disipación de poder totalPaladio40Vatios
Voltaje de la descarga electrostática (modelo del cuerpo humano)ESD2,0kilovoltio
Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamientoTJ, Tstg– 50 a 150°C

LISTA COMÚN

NL17SZ74USG10000EN16+US8
MC9S08AC32CFUE4546FREESCALE12+QFP
MAR-4SM2912MINI16+BORRACHÍN
MRF9030LR1647FREESCALE13+NI-360
MRF373AL442FSL16+SMD
L6205N2168ST15+INMERSIÓN
MC9S08JM60CLD4600FREESCALE14+LQFP
MCP6002-I/P10000MICROCHIP16+INMERSIÓN
PIC12F609-I/SN5712MICROCHIP16+COMPENSACIÓN
CY7C65215-32LTXI2575CYPRESS15+QFN32
OPA227U6800TI13+COMPENSACIÓN
MIC4680YM10000MICREL16+COMPENSACIÓN
MBR130T1G25000EN15+SOD-123
PIC18F2220-I/SP4668MICROCHIP15+INMERSIÓN
MAX253CSA+T8650MÁXIMA14+COMPENSACIÓN
PE-680685600PULSO16+SMD
MC34072PG3436EN10+INMERSIÓN
MC14046BCP3424EN10+INMERSIÓN
PIC18F24J10-I/SO4623MICROCHIP10+COMPENSACIÓN
LMH0041SQE/NOPB763TI14+WQFN-48
MC78L05ACHX30000FAIRCHILD10+SOT-89
PIC16F1827-I/SO5288MICROCHIP16+COMPENSACIÓN
MIC5205-3.3YM538000MICREL16+SOT23-5
LNK625DG6561PODER14+SOP-7
PCI9656-BA66BIG340PLX14+BGA
NCP500SN18T1G10000EN16+SOT23-5
China El VOLTAJE del transistor del Mosfet del poder de MLP1N06CLG AFIANZÓ el mosfe LIMITADOR ACTUAL del poder con abrazadera del rf de los transistores del mosfet del poder más elevado del MOSFET supplier

El VOLTAJE del transistor del Mosfet del poder de MLP1N06CLG AFIANZÓ el mosfe LIMITADOR ACTUAL del poder con abrazadera del rf de los transistores del mosfet del poder más elevado del MOSFET

Carro de la investigación 0