Transistores P del mosfet del poder más elevado SI2301CDS-T1-E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S)
Number modelo:SI2301CDS-T1-E3
Lugar del origen:Filipinas
Cantidad de orden mínima:20
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:20000
Plazo de expedición:1
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalles del producto
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Detalles del producto
SI2301CDS - T1 - transistores P del mosfet del poder más elevado E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S)
MOSFET del P-canal 20-V (D-S)
CARACTERÍSTICAS
• opción Halógeno-libre disponible
• MOSFET del poder de TrenchFET®
USOS
• Interruptor de la carga
| RESUMEN DEL PRODUCTO DEL MOSFET | |||
| VDS (v) | RDS (encendido) (Ω) | Identificación (A) a | Qg (tipo.) |
| - 20 | 0,112 en VGS = - 4,5 V | - 3,1 | 3,3 nC |
| 0,142 en VGS = - 2,5 V | - 2,7 | ||
°C TÍPICO de las CARACTERÍSTICAS 25, a menos que se indicare en forma diferente
Transistores P del mosfet del poder más elevado SI2301CDS-T1-E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S)
Carro de la investigación
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