MOSFET del poder del transistor del Mosfet del poder de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23
Number modelo:BSS138LT1G
Lugar del origen:original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:5200PCS
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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MOSFET del poder 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23
Los usos típicos son los convertidores de DC−DC, gestión del poder en productos portátiles y battery−powered tales como ordenadores, impresoras, tarjetas de PCMCIA, celular y los teléfonos inalámbricos.
Características
• Los paquetes de Pb−Free están disponibles
• Voltaje bajo del umbral (VGS (th):
0,5 V−1.5 V) hacen ideal para los usos de la baja tensión
• El paquete superficial miniatura del soporte SOT−23 ahorra el espacio del tablero
NOTAS:
1. DIMENSIONALIZACIÓN Y TOLERANCING POR ANSI Y14.5M, 1982.
2. DIMENSIÓN QUE CONTROLA: PULGADA.
3. EL GRUESO MÁXIMO DE LA VENTAJA INCLUYE GRUESO DEL FINAL DE LA VENTAJA. EL GRUESO MÍNIMO DE LA VENTAJA ES EL GRUESO MÍNIMO DE LA MATERIA PRIMA.
4. 318−03 Y −07 OBSOLETOS, NUEVO 318−08 ESTÁNDAR.
GRADOS MÁXIMOS (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
| Grado | Símbolo | Valor | Unidad |
| Voltaje de Drain−to−Source | VDSS | 50 | VDC |
| − del voltaje de Gate−to−Source continuo | VGS | ± 20 | VDC |
| Disipación de poder total @ TA = 25°C | Paladio | 225 | mW |
| Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento | TJ, Tstg | − 55 a 150 | °C |
| − Junction−to−Ambient de la resistencia termal | RJA | 556 | °C/W |
| Temperatura máxima de la ventaja para los propósitos que sueldan, por 10 segundos | TL | 260 | °C |
MOSFET del poder del transistor del Mosfet del poder de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23
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