GaAs Ired del transistor del Mosfet del poder TLP734 nuevo y original y transistor de la foto
Number modelo:TLP734
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:6800pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección:
Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
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Detalles del producto
Photocoupler GaAs Ired&Photo−Transistor de TOSHIBA
TLP733, TLP734
Máquina de oficina
Equipo del uso del hogar
Retransmisión de estado sólido
Fuente de alimentación que cambia
TOSHIBA TLP733 y TLP734 consiste en un photo−transistor ópticamente juntado a un diodo de emisión infrarrojo del arseniuro de galio en la INMERSIÓN plástica de seis ventajas.
TLP734 es conexión interna del no−base para los ambientes del high−EMI.
- Voltaje de Collector−emitter: ¿55 V (mínimos)?
- Ratio de transferencia actual: el 50% (mínimo)
- Fila GB: ¿100% (mínimo)?
- La UL reconoció: ¿UL1577, no. E67349 del fichero?
- El BSI aprobó: BS EN60065: 1994
- No. 7364 del certificado
- BS EN60950: 1992
- ¿No. 7365 del certificado?
- SEMKO aprobó: SS4330784
- ¿No. 9325163, 9522142 del certificado?
- Voltaje del aislamiento: ¿4000 Vrms (mínimo)?
- Tipo de la opción (D4)
- El VDE aprobó: ESTRUENDO VDE0884/06,92,
- No. 74286, 91808 del certificado
- Voltaje de funcionamiento máximo del aislamiento: 630, 890 VPK
- Lo más arriba posible permitido sobre voltaje: 6000, 8000 VPK
- El VDE aprobó: ESTRUENDO VDE0884/06,92,
(Nota) cuando un VDE0884 aprobó el tipo es necesario, señala por favor la “opción (D4)”
echada de 7,62 milímetros echada de 10,16 milímetros
de tipo standard ¿Tipo de TLP×××F?
Distancia de contorneamiento : 7,0 milímetros (de mínimo) 8,0 milímetros (de mínimo)
Liquidación : 7,0 milímetros (de mínimo) 8,0 milímetros (de mínimo)
Trayectoria interna del contorneamiento : 4,0 milímetros (de mínimo) 4,0 milímetros (de mínimo)
Grueso del aislamiento : 0,5 milímetros (de mínimo) 0,5 milímetros (de mínimo)
Grados máximos (TA = 25°C)
| Característica | Símbolo | Grado | Unidad | |
| LED | Corriente delantera | SI | 60 | mA |
| El reducir la capacidad normal actual delantero (≥ de TA 39°C) | ∆IF/°C | ¿? -0,7 | mA/°C | |
| Pico adelante actual (pulso de 100 µs, 100 pps) | IFP | 1 | ||
| Voltaje reverso | VR | 5 | V | |
| Temperatura de empalme | Tj | 125 | °C | |
| Detector | ¿Colector? voltaje del emisor | VCEO | 55 | V |
| ¿Colector? voltaje bajo (TLP733) | VCBO | 80 | V | |
| ¿Emisor? voltaje de colector | VECO | 7 | V | |
| ¿Emisor? voltaje bajo (TLP733) | VEBO | 7 | V | |
| Corriente de colector | IC | 50 | mA | |
| Disipación de poder | PC | 150 | mW | |
| Disipación de poder que reduce la capacidad normal (≥ de TA 25°C) | ∆PC/°C | -1,5 | mW/°C | |
| Temperatura de empalme | Tj | 125 | °C | |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | ¿-? 55~125 | °C | |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | Topr | ¿? -40~100 | °C | |
| Temperatura que suelda de la ventaja (10 s) | Tsol | 260 | °C | |
| Disipación de poder total del paquete | Pinta | 250 | mW | |
| Disipación de poder total del paquete que reduce la capacidad normal (≥ de TA 25°C) | ∆PT/°C | -2,5 | mW/°C | |
| Voltaje del aislamiento (CA, 1 mínimo, R.H.≤ los 60%) | BVS | 4000 | Vrms | |
Peso: 0,42 g
Pin Configurations (visión superior)
TLP733
1: Ánodo 2: Cátodo 3: Nc 4: Emisor 5: Colector 6: Base
TLP734
1: Ánodo 2: Cátodo 3: Nc 4: Emisor 5: Colector 6: Nc
GaAs Ired del transistor del Mosfet del poder TLP734 nuevo y original y transistor de la foto
Carro de la investigación
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